本装置はHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸着成膜(ベーパープライミング)に特化しており、
装置の各種パラメータはあらかじめHMDS専用に設定されています。
タッチパネルによる簡単な操作で、信頼性の高い成膜が可能です。
卓上小型で設置場所を問わずR&D、少量生産用途に最適なハイコストパフォーマンスシステムです。
HMDS塗布にはスプレーコート、スピンコートなど様々な処理方法が存在しますが、ウェハをHMDS蒸気に曝して成膜する蒸着方式は、処理後の接触角の大きさ・持続性が長い点、また溶剤使用量を大幅に減らし、コストを削減できる点で、大きな優位性を持っています。
アプリケーション
- SAM膜(自己組織化単分子膜)を形成し、表面を疎水性に改質
- 基板とレジストの密着性向上(レジスト塗布前処理)
- 有機物と無機物の化学的結合
- MEMSのスティクション(貼りつきによる摩擦)防止コーティング
etc…
装置特長
- 処理中のウェハ面内温度安定性が高い
(チャンバー内背面及び両側面で温度をモニター) - 処理後の接触角面内均一性が高い
- 蒸気プライム方式は、スピンコート方式と比較して溶剤使用量を飛躍的に削減でき、
また、成膜後のウェハ表面の接触角の持続性も長い(2週間以上持続) - チャンバー内で全工程一括処理 非常に高い安全性
- 蒸着プロセスの前に行われる、真空引き→N2パージプロセスにより
ウェハ表面は完全に脱水され、均一性が高く、安定した膜を形成 - MEMSなどの立体構造物も問題なく処理することが可能
- オプションのカセットにウェハを収納し、複数のウェハを同時処理可能
- イメージリバーサルに対応
TAシリーズプロセス
図1. YES TAシリーズのプロセスチャート
本装置では、蒸着プロセス前にまずプリベーク(150℃)を行い、その後真空引き/N2パージサイクルが繰り返し行われます。
このプロセスにより、ワーク上の水分は完全に脱水され、HMDSと基板は安定して密着します。(デハイドレーション)
また、HMDS処理完了後にも真空引き/N2パージサイクルが再び行われ、チャンバー内にはHMDSの残渣や化学反応により発生するアンモニアガスを残さず、オペレーターは安全な環境でワークを取り出すことが出来ます。
このプロセスにより、ワーク上の水分は完全に脱水され、HMDSと基板は安定して密着します。(デハイドレーション)
また、HMDS処理完了後にも真空引き/N2パージサイクルが再び行われ、チャンバー内にはHMDSの残渣や化学反応により発生するアンモニアガスを残さず、オペレーターは安全な環境でワークを取り出すことが出来ます。
高く安定した接触角
図2. 接触角データ比較表
図2は、YES社の蒸気プライム(3パターンのプロセス)、バブラ―タンク、コーター、それぞれによるHMDS成膜処理直後の接触角を測定したデータです。YES社のベーパープライムによる成膜が大きな接触角の値を示しており、他の2つと比較して明確に優位であることがわかります。
図3. 接触角持続性データ
図3は、蒸着方式とスピンプライム方式のそれぞれによる接触角の持続性を比較したデータです。
スピンコート方式では約3日で値が大きく下がっていますが、YES-310TA/58TAの蒸着方式では、少なくとも2週間、高い接触角を維持することが出来ます。
スピンコート方式では約3日で値が大きく下がっていますが、YES-310TA/58TAの蒸着方式では、少なくとも2週間、高い接触角を維持することが出来ます。
仕様
HMDS供給方法試薬瓶に供給
| 製品名 | 310TA | 58TA |
|---|---|---|
| 適合クリーンルーム | Class 10 | |
| 対応ウェハサイズ | ～200 mm (8″) | ～300 mm (12″) |
| 動作温度 | 常温 – 160℃ | 常温 – 180℃ |
| 温度安定性 | ±5℃ | |
| キャパシティ | 4″ ウェハ 8 カセット 5″ ウェハ 2カセット 6″ ウェハ 2カセット 8″ ウェハ 1カセット |
4″ ウェハ 12カセット 5″ ウェハ 8カセット 6″ ウェハ 2カセット 8″ ウェハ 2カセット 12″ ウェハ 2カセット |
| スループット | 2バッチ / 時 (イメージリバーサル ： 1バッチ / 時) | |
| チャンバー寸法 (約) W × D × H |
31 × 34 × 31 cm | 40.5 × 46 × 40.5 cm |
| 本体寸法 (約) W × D × H |
63 × 50 × 77 cm | 74 × 63 × 88 cm |
| 供給ガス接続 | ・圧空 or N2：バルブ制御用 ・N2：チャンバーベント用 ・アンモニア：イメージリバーサル用 |
|
| N2ガス消費量 | 7 SCF / プロセス | 16 SCF / プロセス |
| クリーン度 | <5 × 1um パーティクル / 150mm ウェハ | |
| レシピ数 | 8 レシピ | |
| プロセス時間 | 0 – 999,999 秒 | |
| 設定分解能 | 1 秒 | |
| イメージリバーサル | 対応 | |
| 電源 (50/60Hz) | 単相 200 – 250V, 20A | 単相 208 – 230V, 20A |
| 重量 (約) | 109 kg | 132 kg |
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