アライメント精度±１micron超高精度フリップチップボンダー

特徴

• 光学部品の高精度実装用として開発された超高精度FC/ダイボンダー
• ステージ、コレットのパーツ交換により多様なデバイスに対応。
• オプティカル方式アライメントの為、化合物デバイス端面やガラス部品中の
• マーク認識が可能。低酸素濃度（100ppm以下）やレーザー変位による
• 姿勢制御による高精度実装、3D構造物へのチップボンディング実装等
• オプションアプリケーションを豊富にラインナップ

ボンディング工法と装置対応

工法名	共晶ダイボンディング	熱圧着	金-ハンダ工法	異方性導電 ペースト工法	ハンダバンプ 工法
	金属共晶材による ダイボンディング	熱と圧力による金バンプ 金パッド接合	金バンプにハンダを溶着 パッドに接合	異方性導電ペースト/ACP （またはフィルム）による 接合	ハンダ溶融による 金属接合
本装置による 工法対応
対応機能	共晶材融点までの加熱	加熱+圧力	加熱	加熱+圧力	加熱
対応温度	約165-400℃	350-400℃	220-240℃	150-220℃	220-240℃
必要圧力(I/O)	N/A	80-100g	2-10g	50-100g	5-10g
超音波効果
不活性ガス	必須	不要	要	不要	要

使用材料によりデーターが異なります。
詳細は材料メーカーのデーターを参照下さい。

装置仕様

型式	M1300
機能	半自動型　FCボンダー
アライメント精度	±1.0μm
印加荷重	50-5000g (ロードセル交換）
アライメント	X-Y軸マニュアル / Θ軸 オート

装置寸法

オプション部品

パルスヒーター、超音波ボンディングユニット、不活性ガスボンディングステージ、レーザー変位補助アライメント、他

デバイス毎に製作されるワークホルダ― TO-15用ボンディングステージ (手前 チップハンドリングトレイ）	操作はPCディスプレイよりファイルNo.を読み込むのみ
一般的なボンダー O2濃度1000ppm　雰囲気ボンディング 接合材にボイド発生	ハイソルボンダ― 置換雰囲気ボンディング　O2濃度500ppm 接合材にボイド発生なし

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個人情報保護方針(プライバシーポリシー)

• 個人情報に関する法令・規範を遵守します。
• 当社はお客様の個人情報への不正アクセス、紛失、破壊、改ざん及び漏洩等の防止に努めます。
• 個人情報は法令に基づき開示される以外は、個人情報をお客様に明示した利用目的の範囲内で取扱い、第三者に譲渡、提供はしません。
• 当社は個人情報保護に対する取組みを継続的に見直し、適宜改善します。

ウェハー（トレイ）よりハンドリング、チップ上下反転後画像処理、
アライメント、熱圧着/接着剤（ディスペンス他）/共晶方式
各種実装工法によるオートフリップチップボンダー　MODEL-400

オートフリップチップボンダー最高クラス アライメント精度±2.5micron

2-8ウェハー、ワッフルトレイ、粘着シートトレイ、パッケージ、基板、ガラス等
対象物を選ばず、アダプター交換により幅広くハンドリング/実装が可能

特徴

• ウェハー/実装基板の交換が容易で少量多品種生産及び試験開発用途に最適。
• 実装ウェハー 4-8inch(割れカケウェハー可)　PCソフトウェアーによる制御
• 多様なオプション角錐コレット、パルスヒーター、スクライブ、スタンピング他
• レイアウト、予算、機能などユーザーニーズに最適なカスタマイズシステムを製作。
• 世界に一台の “オンリーワンシステム” を提案。

ボンディング工法と装置対応

工法名	共晶ダイボンディング	熱圧着	金-ハンダ工法	異方性導電ペースト 工法	ハンダバンプ工法
	金属共晶材による ダイボンディング	熱と圧力による金バンプ 金パッド接合	金バンプにハンダを溶着 パッドに接合	異方性導電ペースト/ACP （またはフィルム）による 接合	ハンダ溶融による 金属接合
本装置による 工法対応
対応機能	共晶材融点までの加熱	加熱+圧力	加熱	加熱+圧力	加熱
対応温度	約165-400℃	350-400℃	220-240℃	150-220℃	220-240℃
必要圧力(I/O)	N/A	80-100g	2-10g	50-100g	5-10g
超音波効果
不活性ガス	必須	不要	要	不要	要

使用材料によりデーターが異なります。
詳細は材料メーカーのデーターを参照下さい。

装置仕様

型式	自動フリップチップボンダーM400α	自動チップ移載機 M400TR
機能	全自動ボンディング or JOG送りによる手動アライメント	全自動ウェハー→チップトレイ 粘着トレイ→装置専用トレイ etc.
アライメント精度	±2.5μm	±5μm
印加荷重	50-1000g	50-1000g
アライメント	自動	自動

装置寸法

オプション部品

パルスヒーターボンディング ステージ＆実装観測カメラ	導通検査プローブステージ& チップ反転ユニット
20X20mm　パルスヒーターヘッド 表面温度分布 at 295℃	ウェハーマップによるピックアップ

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• 当社は個人情報保護に対する取組みを継続的に見直し、適宜改善します。

小型デスクトップフリップチップボンダー

熱圧着、接着材、超音波接合等各種実装工法に対応

PCソフトオペレーションシステムにより簡便で再現性の高い実装が可能
光部品実装、MEMSデバイス組立、多ピンBGA実装などに最適
400ニュートンまでカバーする広範囲荷重モデル

特徴

• ダイボンディング及びフリップチップボンディング機能兼用
• ステージ、コレットのパーツ交換により多様なデバイスに対応。
• 熱圧着、接着剤塗布、金属共晶、超音波ボンディング等各種工法に対応。
• 試作品製作、開発用や量産装置の条件設定に最適。

ボンディング工法と装置対応

工法名	共晶ダイボンディング	熱圧着	金-ハンダ工法	異方性導電 ペースト工法	ハンダバンプ工法
	金属共晶材による ダイボンディング	熱と圧力による金バンプ 金パッド接合	金バンプにハンダを溶着 パッドに接合	異方性導電ペースト/ACP （またはフィルム）による 接合	ハンダ溶融による 金属接合
本装置による 工法対応
対応機能	共晶材融点までの加熱	加熱+圧力	加熱	加熱+圧力	加熱
対応温度	約165-400℃	350-400℃	220-240℃	150-220℃	220-240℃
必要圧力(I/O)	N/A	80-100g	2-10g	50-100g	5-10g
超音波効果
不活性ガス	必須	不要	要	不要	要

使用材料によりデーターが異なります。
詳細は材料メーカーのデーターを参照下さい。

装置仕様

型式	M90	M95
機能	手動型　FCボンダー	手動型　FCボンダー
アライメント精度	±2.5μm	±2.5μm
印加荷重	50-2000g	300-40000g
アライメント	マニュアル	マニュアル

装置寸法

ユニット寸法	本体寸法

オプション部品

パルスヒーター、超音波ボンディングユニット、ペーストスキージテーブル及びスタンパー、UV硬化ランプ、他

標準ワークホルダー (O2濃度500ppm以下) 『デバイス毎に製作されるワークホルダ―及びコレット』	MEMSデバイス用コレット

動画

高精度ダイ／フリップチップボンダー動画

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個人情報保護方針(プライバシーポリシー)

• 個人情報に関する法令・規範を遵守します。
• 当社はお客様の個人情報への不正アクセス、紛失、破壊、改ざん及び漏洩等の防止に努めます。
• 個人情報は法令に基づき開示される以外は、個人情報をお客様に明示した利用目的の範囲内で取扱い、第三者に譲渡、提供はしません。
• 当社は個人情報保護に対する取組みを継続的に見直し、適宜改善します。