ハイソル株式会社

新製品マスクレス露光装置 PALET

マスクレス露光装置　PALET
この度、新製品マスクレス露光装置「PALET」の取り扱いを始めました。

本製品は、業界最安クラスの卓上型露光装置です。
設置面積はA3サイズに収まり、省スペースでの設置が可能です。
また、必要な電源は家庭用コンセント（AC100V）のみで、特別な電源工事も不要です。
直感的な操作画面により、初心者の方でも簡単にパターニングを行うことができます。

評価デモも可能ですのでお気軽にお問い合わせください。

担当：前田、生稲

マスクレス露光装置　PALET

マスクレスでフォトリソグラフィができる卓上型の露光装置です。
装置本体の設置面積はA3サイズとなり、必要ユーティリティもAC100Vのみです。
またユーザーフレンドリーな操作性で、フォトリソグラフィに慣れない人でもパターニング可能です。
価格に関しても、機能の絞り込みを行うことで圧倒的な低価格となっております。

装置特長

・マスクレスでフォトリソグラフィができる
フォトマスクの代わりにDMD（デジタルマイクロミラーデバイス）を使用しています。
手軽にリソグラフィができる為、研究用途やフォトマスク作成前の試作用としてもご利用可能です。

・設置面積の少ない卓上型
装置本体の設置面積はA3サイズとなり、ほかにノートPCとステージドライバが付属します。

・必要ユーティリティはAC100Vのみ
フローティング構造を採用し、振動を抑制している為、防振台が不要です。
真空吸着ポンプも内蔵している為、圧縮エアや冷却水も必要ございません。

・圧倒的な低価格
機能を絞り込むことで、圧倒的な低価格を実現いたしました。

・ユーザーフレンドリーな操作性
手軽に使用して頂くために、フォトリソグラフィに不慣れな人でもパターニングできる、
分かりやすいユーザーインターフェイスとなっております。

装置仕様

品名	手動ステージモデル	電動ステージモデル	大型ステージモデル
型名	DDB-701-MS	DDB-701-DL	DDB-701-DL4
ステージ	手動 XYZθステージ	電動 XYZθステージ
構成（共通）	装置本体・制御用PC・ソフトウェア
構成（モデル）	―	ステージドライバ	ステージドライバ・防振テーブル
光源	365nm（typ.）LED
露光領域	25mm × 25mm		100mm × 100mm
ワークサイズ	最大Φ60mm、厚み3mm		最大Φ150mm、厚み10mm
ユーティリティ	AC100V、消費電力 1.5kW以下
対応ファイル形式	画像データ（JPEG / PNG / BITMAP）、パワーポイントデータ（XPS）、 CADデータ（DXF）
本体外寸(mm)・質量	300 (W) × 450 (D) × 450 (H) 約30kg		500 (W) × 600 (D) × 650 (H) 約100kg

対物レンズ	10倍	2倍
最小露光線幅	3μm	15μm
ワンショットあたりの露光エリア	約1mm × 約0.6mm	約5mm × 約3mm
ワンショットあたりの露光時間（※1）	約1秒	約15秒

※1 PALET標準フォトレジストでの参考値となります。

装置動画

使用方法

レジスト基板用意
基板セット
ソフト起動
パターン選択
露光条件セット
スタート

カタログダウンロード（PDF）

マスクレス露光装置
「PALET」カタログ

マスクレス露光装置
「PALET」製品資料

電話番号：03-3836-2800
担当：生稲、前田
もしくは下記お問い合わせフォームまで

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ウエハ接合装置

研究開発に特化し様々な接合が可能なワンチャンバー
In-SItuアライメントのウエハ接合装置

研究開発ウエハ接合に特化した英国 APPLIED MICROENGINERERING 社のウエハ接合装置。
1µm精度の光学アライメントにより、高い歩留まりと優れたウエハ接合を実現。

多様なボンディング技術に対応しており、研究開発・試作開発に適したプロセスマージンの広いウエハ接合装置。

複数サイズのウエハ(小片から８インチまで)に対応し、超極真空条件下(10-8mbar = 1 × 10-6 Pa)でのウエハ接合にも対応 (ROCKタイプ)。

概要

１つのチャンバーでアライメント・ウエハボンディングの完結
光学アライメントによる1µm精度の位置合わせ、センターピンによる接合時のズレ防止機能
独自システムのライブビュー機能によるリアルタイムでの接合の観察(オート/マニュアル操作)
ウエハエッジクランプ方式により、ウエハの非接触保持・コンタミ防止
チャンバー内でのプラズマ処理、プラズマ処理後にダイレクトにウエハ接合プロセスへ
チャンバー内のプラテン温度の上下別々での温度調整が可能、熱膨張によるズレを抑制

装置特徴

チャンバー内部構成

窒素・酸素ガスを使用したプラズマ処理により、接合面の活性化
チャンバー内でのラジカル活性後の水蒸気注入・ギ酸処理も可能
ウエハ間距離最大30mmによるトリプルスタッティング接合の実現

ROCK

超高真空(UHV)環境下(10-8mbar = 10-6Pa)でのウエハ接合

表面の酸化層・有機汚染が除去された極限までクリーンな接合界面の実現
高精度な界面制御(分子レベル)
接着剤や中間層を必要としないダイレクトボンディングの実現

ライブビュー機能

ライブビュー機能が搭載されており、ウエハ接合時の観察が可能
リアルタイムでのオート・マニュアル操作
温度コントロールが調整可能であり、最適な条件の設定へ
フルコントロールすることにより、プロセス開発時間の短縮・コスト削減へ

アプリケーション

高精度位置合わせを伴う接着剤接合
MEMSデバイス、圧力センサ、加速度センサ、マイクロ流体デバイス
真空封止
MEMS及びIC向けのウエハレベルパッケージング
Ⅲ-Ⅴ族化合物の半導体接合
3Dインターコネクト・TSV（シリコン通貫ビア）
高度な接合基板
量子コンピューター UHV(超高真空)技術

主な仕様

	AWB		ROCK
装置タイプ	AWB-04	AWB-08	ROCK-04	ROCK-08
対象ウエハサイズ	3、4、6 インチウエハ	6、8 インチウエハ	3、4、6 インチウエハ	6、8 インチウエハ
アライメント精度	1µm
チャンバー内圧	10⁻⁶mbar – 2 bar		10⁻⁸mbar – 2 bar
プラテン温度	最大 560℃
接合圧	最大40kN (約4トン)
陽極接合電圧	最大2.5kV
チップ接合	対応	非対応	対応	非対応
装置サイズ	1,230(L)×832(W)×1,704(H) mm	2,110(L)×915(W)×2,242(H) mm	1,230(L)×832(W)×1,704(H) mm	2,110(L)×915(W)×2,242(H) mm
付帯設備	–	–	ヘリウム圧縮機 : 450(L)×660(W)×565(H) mm	ヘリウム圧縮機 : 450(L)×660(W)× 565(H) mm
オプション	UV硬化近赤外線カメラ
ユーティリティ	電源：100VAC CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、プラテン/ウエハ冷却プロセスガス：供給可能	電源：100VAC CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、プラテン/ウエハ冷却プロセスガス：供給可能	電源：100VAC、3相 CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、プラテン/ウエハ冷却プロセスガス：供給可能ヘリウム圧縮機：400V 3相 (50Hz) or 460V 3相 (60Hz)	電源：100VAC、3相 CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、プラテン/ウエハ冷却プロセスガス：供給可能ヘリウム圧縮機：400V 3相 (50Hz) or 460V 3相 (60Hz)

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2次元複屈折測定装置

ウエハ歪み(位相差・位相軸方位)の全面評価

独自の偏光カメラを使用することでウエハの全面評価を短時間でかつ定量評価することが可能な装置です。
ウエハの内部歪み・加工応力の定量化ができます。

対象となるウエハは、SiC、GaN、人工ダイヤモンドウエハ。
GaAsウエハも赤外線波長を使用することで、測定可能（PA-300-NIR）。

概要

屈折率・位相差分布を500万画素の高解像度による測定
独自の偏光カメラによるウエハ全面の面内分布を高速測定
独自ソフトフェアによる多彩なグラフ表示・解析が可能
ウエハ以外に、ガラス製品、レンズなどの小さな位相差も測定対象

測定事例

SiCウエハの測定

SiC 8inch（オフ角 4度）

GaNウエハの測定

GaN 3inch 位相差表示

GaN 3inch 結晶軸方位

人口ダイヤモンドウエハの測定

モノクロ輝度画像

結晶欠陥データ

GaAsウエハの測定

GaAs 位相差表示

主な仕様

	PX-300-XL	PA-300-L	PA-Micro
特徴	A3サイズまで測定	A4サイズまで測定	顕微鏡視野まで測定
測定視野	242×290 mm ～ 360×480 mm	37×44 mm ～ 240×320 mm	140×170 µm ～ 3.5×4.2 mm
オプションレンズ視野	対応不可	ズーム 5.5×6.6 mm ～ 25×30 mm	×100 40×53 µm
出力される数値	位相差(nm)・軸方位(°)
測定レンジ	0～130 nm
繰り返し再現性	σ < 0.1 nm
測定波長	520 nm
筐体サイズ	650×600×1930 mm	430×487×1166 mm	270×500×610 mm
重量	46 Kg	23 Kg	18 Kg
構成	本体　PC(ソフトウェアインストール)　説明書など書面 ※PA-microの場合、顕微鏡一式

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膜計測用エリプソメータ

非破壊・非接触・超高速全面マッピング

自然酸化膜やレジスト膜などの薄膜の膜厚/屈折率の測定。
独自開発のPCAセンサにより、最大毎分20,000点以上のハイスピードで高精度に膜厚の面内分布が測定可能です。

ウエハサイズは8インチ(オプションで12インチ)まで対応可能、SMIFポッド対応し、研究開発から量産まで対応しております。

0.1nm(1Å)レベルの膜厚ムラの測定も可能、透明基板にも対応しております(ME-210-T)。

概要

超高速で薄膜の膜厚・屈折率分布を測定
従来は難しかった50µm角の微小領域の膜厚・屈折率の測定
独自PCAセンサにより瞬時測定・移動中のサンプルの測定が可能
面内分布データをCSVデータ保存、3D表示機能を搭載
反射波ノイズにより測定ができなかった透明基板にも対応(ME-210-T)

測定事例

ウエハ表面酸化膜の膜厚分布

GaAsウエハの自然酸化膜測定

2mm間隔測定(測定時間約3分)

測定時間を短時間にすることで、枚数が多い場合や全体傾向を短時間で取得可能です。

0.5mm間隔測定(測定時間約33分)

測定間隔を狭くすることで、ウエハ全体の詳細な膜厚分布情報を取得することが可能です。

InPウエハの自然酸化膜測定

透明基板上の膜厚分布

サファイア基板上のGaN膜

膜計測用エリプソメータ

スピンコートしたレジスト膜厚分布

サファイア基板上のGaN膜

膜計測用エリプソメータ

有機層の膜厚分布

Cr基板上の膜厚分布

SE-101

高速・低価格・コンパクトなエリプソメータ

独自センサ搭載によるコンパクトな設計かつ拡張性の高い、卓上型点測定装置。

従来のエリプソメータは、偏光子を回転させる駆動系仕様となり、装置が大型になり、コンパクトなサイズでの装置設計。

最速1/70秒間隔のリアルタイムの測定が可能であり、膜厚の時間変動解析にも有効です。
ヘッドユニットを取り外したモジュールとしても活用できます。

主な仕様

	ME-210	ME-210-T	SE-101
測定方式	PCA(フォトニック結晶アレイ並列処理)方式
測定再現性	膜厚：0.1nm、屈折率：0.001
光源	半導体レーザ（typ. 636 nm）
測定スポット	広域モード：550 µm角中間モード：55 µm角高精細モード：5.5 µm角		約1.0 mm角
入射角度	標準70度
ステージサイズ	最大8インチウエハ対応		最大4インチウエハ対応
透明基板対応	–	〇	–
測定速度	最高毎分20,000点以上（高精細測定時）		約0.1秒 / 1測定点
本体寸法	幅：650 mm 奥行き：650 mm 高さ：1,740 mm		幅：250 mm 奥行き：175 mm 高さ: 220 mm
重量	約 120 kg		約 4 kg
製品内容	システム1式ソフトウェア（インストールCD）標準サンプル取扱説明書

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高荷重対応自動ラッピング・ポリッシング装置 DL81/DL82

DL81/DL82｜高荷重対応自動ラッピング・ポリッシング装置

DL81/DL82は、Logitechの最新鋭かつ高度自動化された高荷重対応のラッピング・ポリッシング装置です。2つの自動ワークステーションを搭載し、インテリジェントな空圧式研磨治具により、多様な材料の加工において非常に高い精度と再現性を実現します。研究用途からプロセス開発、生産ラインまで幅広く対応可能です。

主な特長・機能

デュアル・ワークステーション構成：
最大2つの空圧式研磨治具を同時に制御可能。
大面積サンプルや複数の小型サンプルを効率よく加工できます。
高度な自動化とリアルタイム制御：
Bluetooth接続によるプレート平坦性・厚みの自動補正、デジタルゲージによるリアルタイムフィードバックを搭載。
広範な材料対応：
InP、GaAs、SiC、ダイヤモンド、リチウムニオベートなど、脆性材料から高硬度材料まで加工可能。
インテリジェント空圧式研磨治具：
最大荷重40kg（錘を載せることで最大47kgf）、最大回転数100rpm。
研磨治具付属のデジタルゲージにより、BlueToothで装置本体と通信してリアルタイムフィードバックで研磨厚みを管理し、設定したエンドポイントで自動停止することが可能です。
内蔵ロードセルにより自動で荷重を補正し、高荷重制御によりSiC、GaN、サファイア、ダイヤモンド基板の研磨に最適です。
Logiwasteシステム：
Logitech社独自の密閉型スラリー排出機構により、安全かつ簡易な廃液処理が可能です。
レシピ管理機能：
複数ステージの加工条件を保存・呼び出しでき、再現性の高いプロセス制御を実現。
国際標準EtherCAT制御：
産業機器との安定した通信と機器診断を可能にする標準通信プロトコルを採用。

ラッピングプレートの平坦度をリアルタイムモニター＆形状自動補正

精密研磨を行う場合、研磨を行う側であるラッピングプレートの平坦度が悪くては意味がありません。
ロジテック社の研磨装置では、研磨を行う前に必ずラッピングプレートの平坦度を測定し、ノウハウを活かした独自技術で平坦度出しを行います。研磨の目的によっては、意図的に形状を変化させることもございます。

平坦度モニターにより、リアルタイムでプレートの形状を0.1um分解能でモニターし、設定したターゲットの形状になるように、自動でプレート自体を研磨し、形状を補正することが出来ます。
例えば、コントロールパネルでTarget Flatness(ターゲット平坦度)を1umに設定すると、プレートの平坦度が1umになるまで、自動的にプレートを研磨し補正することが出来ます。
これにより、プレートの平坦度出しに掛かる時間を大幅に短縮することが可能になりました。

用途例

高硬度材料（SiC、サファイア、ダイヤモンド、GaN）
シリコンウェハのラッピング・ポリッシング
化合物半導体（GaAs、InP）
光学デバイス基板（LiNbO₃、LiTaO₃）
MEMS、センサーデバイス、パワー半導体基板

消耗品(スラリー、パッド、支持基板、洗浄剤)

研磨プレートやポリッシングパッド、スラリーなど高精度な研磨に必要な消耗品は全てご用意しております。
ご希望の研磨仕様に最適な装置とアイテムを総合的にご提案致します。

仕様

プレート径	最大700 mm
対応治具タイプ	DL82：AJ200(8″)、AJ150(6″)、AJ100(4″) x2式 DL81：AJ200(8″)、AJ150(6″)、AJ100(4″) x1式
対応ウェハサイズ	2インチ～8インチ
プレート回転速度	最大100 rpm
研磨治具回転速度	最大100 rpm
研磨治具荷重範囲	2～40kg
スラリー流量	5〜100 ml/min
廃液処理	密閉式 Logiwasteシステム
排気ポート	150 mm OD
電源	単相AC 220–240V / 32A
寸法（W×D×H）	1141 x 1639 × 1975 mm

製品紹介動画

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大気圧ランプアニール装置(RTP・RTA)

国内販売実績　50台以上
研究開発に最適なベストセラーRTAシステム

AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視～赤外光照射により、最大1250℃、昇温速度150℃/secでウェハの加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置（RTP・RTAシステム）です。

AccuThermo AW610Mは最大6インチウェハ、または2インチウェハ×4枚、3インチウェハ×3枚、156mm角PVセルのアニール処理に対応可能な大気圧RTP・RTAシステムで、研究開発・試作用途のほか、小ロット生産にも対応する高性能・高信頼性ランプアニールシステムです。

Si デバイス	化合物半導体	PVセル

アプリケーション

イオン注入後の活性化処理
オーミックコンタクト形成
GaAs, GaN, InP, SiC 等化合物半導体のアニール
PZT、SBT等強誘電体薄膜の結晶化アニール
PVセルのアニール
酸化膜生成
シリサイド形成,サリサイド形成
Polyシリコンのアニール処理

特長

コンパクトな卓上型システムで省スペース。
最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 150℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
ランプゾーン出力制御（6ゾーン）による均熱性の向上（Δ10℃以内）
非接触加熱、絶縁石英チューブ、コールドウォール構造によるクリーン熱処理。
パージ置換方式で残留酸素濃度 10ppm以下の熱処理に対応。
特許のERPパイロメーター(450℃ ～ 1250℃）※オプション
MFCによるプロセスガス流量制御（プログラマブル、最大4系統のMFCを組み込み可能）
RTAプロセスに最適化された温度制御アルゴリズム。
簡単なオペレーションで石英チューブ、石英トレイを取り外し交換することが可能。(デポ物のクリーニング対応が容易)
組み込みPCによるレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理。
ソフトウェア上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
ウォッチドッグタイマー、過昇温防止、冷却水循環流量監視等の徹底された安全対策。

RTAProソフトウェア

AccuThermoシリーズRTAシステムには組み込みボードPCおよびRTAProソフトウェアが標準搭載されており、グラフィカルなインターフェイス上で任意のアニールレシピの作成・保存・実行、およびプロセスデータの管理を行うことができます。また、ソフトウェア上で熱電対回路やパイロメータ、チャンバー/ランプ等のキャリブレーションを容易に行うことができ、安定かつ再現性の高いアニールプロセスを実行できます。

リアルタイムプロセスモニタ

レシピ作成・編集

システム診断

仕様

項目		仕様
対応基板サイズ		[標準] φ3インチ～ φ6インチ [オプション] φ2インチ～ φ4インチ [オプション] 156mm × 156mm 角型基板 [オプション] サセプタ使用時：個片チップ～φ6インチ
温度制御範囲	TC	100℃ ～ 800℃
	[Option] Special-TC	100℃ ～ 1050℃(*1)
	[Option] パイロメータ	450℃ ～ 1250℃(*1)
加熱方式		赤外線ランプ放射加熱（1.2kW×21本,Top 10、Bottom 11）
冷却方式		ガスパージによる強制空冷
加熱方向		上下面2方向
温度制御方式		検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度		10℃/sec ～ 150℃/sec(*1)
降温速度		10℃/sec ～ 150℃/sec(*2)
温度測定精度		TC：±1℃(校正後)，ERPパイロメータ：±4℃(校正後)
面内温度均一性		ΔT 10℃(*1)
ランプゾーン数		6ゾーン独立制御
試料ローディング方式		フロントローディング（手動）
プロセス処理室、試料搭載部		石英チューブ、石英トレイ
チャンバー材質		アルミニウム合金 + 拡散反射Auコーティング
チャンバー冷却方式		空冷・水冷併用
プロセスガス種		N2、O2、He、Ar、フォーミングガス（水素濃度5％程度）その他のガス種はご相談ください
プロセスガス系統数		[標準] 1系統(N2) [オプション] 最大4系統
プロセスガス流量制御範囲		[標準] 0.2slpm ～ 10slpm (MFCによる制御) [オプション] 20sccm ～ 1000sccm (MFCによる制御) 他
登録レシピ数		制限なし
レシピ当たりのステップ数		最大40ステップ (サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
プロセス制御方式		装置組み込みコンピューターボード、RTAProソフトウェア、17インチ液晶モニタ、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能		リアルタイムプロセスモニタレシピ編集、保存、読み出しプロセスデータリコールプロセスデータ出力(Txt形式) 各種キャリブレーションシステム診断　etc.
安全対策		非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
外形寸法・重量		W660 × D432 × H366 mm・50kg(*3)

*1 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*3 装置寸法・重量には、周辺機器は含まれておりません。

ユーティリティ

項目	装置側接続形状	用力
電源(本体用)	M5端子台×3(RTS) 挿し込み式端子台×1(E)	AC200V三相、50/60Hz、50A
電源(パイロメータチラー用)*	接地型2Pコンセント	AC100V、50/60Hz、5A
CDAまたはN2(冷却用)	3/8”プッシュロック	0.3[MPa]、283～425[L/min] ※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用)	1/4”Swagelok	0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水	1/2”Swagelok (またはNPT3/8”)	水温 15℃～35℃ 0.3～0.4[MPa]、7.62[L/min以上] ※100[um]のフィルタを通すこと ※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス	1/4“VCR(Male)	0.15[MPa]、10[slpm]（標準）
キャビネット排気	Φ101.6mm 短管	3000[slpm]以上
ガスボックス排気	Φ101.6mm 短管	3000[slpm]以上
プロセス排気	1/4“VCR(Male)	－

* ERPパイロメータオプションを選択した場合。

オプション

プロセスガスライン（MFC）追加：最大4系統
ERPパイロメーター（450℃ ～ 1250℃）※専用チラー、キャリブレーションキット付属
Special-TCアセンブリ（100℃ ～ 1050℃）
各種サセプタ（SiCコーティンググラファイト，SiCコーティングシリカ）
各種Siキャリア（Siインゴット）
クオーツライナー（アウトガスプロセス用）
低酸素濃度プロセス用 2重Oリング
低酸素濃度プロセス用残留酸素濃度測定器
スペアパーツキット Level 1，Level 2，Level 3
GEM/SECSⅡ ネットワーク機能

専用架台

設計製作にて専用架台をご提供いたします。

[組み込み対応機器]

漏電遮断器
絶縁トランス
各種減圧弁、流量計
冷却水用フィルター
CDA用フィルター
メンテナンス用水抜き回路　etc.

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大気圧ランプアニール装置(RTP・RTA)

スタンドアローン・長時間プロセス
8インチ対応 RTAシステム

AccuThermo AW820Mは最大8インチウェハ、または2インチウェハ×16枚、3インチウェハ×5枚、4インチウェハ×4枚のアニール処理に対応可能な大気圧RTP・RTAシステムで、研究開発・試作用途のほか、小ロット生産にも対応する高性能・高信頼性ランプアニールシステムです。

Si デバイス	化合物半導体	PVセル

アプリケーション

イオン注入後の活性化処理
オーミックコンタクト形成
GaAs, GaN, InP, SiC 等化合物半導体のアニール
PZT、SBT等強誘電体薄膜の結晶化アニール
PVセルのアニール
酸化膜生成
シリサイド形成,サリサイド形成
Polyシリコンのアニール処理

特長

最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 150℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
1000℃/60min の長時間プロセスに対応可能。 ※詳細はお問合せください
ランプゾーン出力制御（10ゾーン）による均熱性の向上（Δ10℃以内）
非接触加熱、絶縁石英チューブ、コールドウォール構造によるクリーン熱処理。
パージ置換方式で残留酸素濃度 10ppm以下の熱処理に対応。
特許のERPパイロメーター(450℃ ～ 1250℃）※オプション
MFCによるプロセスガス流量制御（プログラマブル、最大6系統のMFCを組み込み可能）
RTAプロセスに最適化された温度制御アルゴリズム。
簡単なオペレーションで石英チューブ、石英トレイを取り外し交換することが可能。(デポ物のクリーニング対応が容易)
組み込みPCによるレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理。
ソフトウェア上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
ウォッチドッグタイマー、過昇温防止、冷却水循環流量監視等の徹底された安全対策。
ウェハ自動搬送対応可能 ※オプション

RTAProソフトウェア

リアルタイムプロセスモニタ

レシピ作成・編集

システム診断

仕様

項目		仕様
対応基板サイズ		[標準] φ5インチ～ φ8インチ [オプション] φ2インチ～ φ4インチ [オプション] 200mm × 200mm 角型基板 [オプション] サセプタ使用時：個片チップ～φ8インチ
温度制御範囲	TC	100℃ ～ 800℃
	[Option] Special-TC	100℃ ～ 1050℃(*1)
	[Option] パイロメータ	450℃ ～ 1250℃(*1)
加熱方式		赤外線ランプ放射加熱（1.5kW×27本,Top 13、Bottom 14）
冷却方式		ガスパージによる強制空冷
加熱方向		上下面2方向
温度制御方式		検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度		10℃/sec ～ 150℃/sec(*1)
降温速度		10℃/sec ～ 150℃/sec(*2)
温度測定精度		TC：±1℃(校正後)，ERPパイロメータ：±4℃(校正後)
面内温度均一性		ΔT 10℃(*1)
ランプゾーン数		10ゾーン独立制御
試料ローディング方式		フロントローディング（手動）
プロセス処理室、試料搭載部		石英チューブ、石英トレイ
チャンバー材質		アルミニウム合金 + 拡散反射Auコーティング
チャンバー冷却方式		空冷・水冷併用
プロセスガス種		N2、O2、He、Ar、フォーミングガス（水素濃度5％程度）その他のガス種はご相談ください
プロセスガス系統数		[標準] 1系統(N2) [オプション] 最大6系統
プロセスガス流量制御範囲		[標準] 0.2slpm ～ 10slpm (MFCによる制御) [オプション] 20sccm ～ 1000sccm (MFCによる制御) 他
登録レシピ数		制限なし
レシピ当たりのステップ数		最大40ステップ (サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
プロセス制御方式		装置組み込みコンピューターボード、RTAProソフトウェア、17インチタッチスクリーン、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能		リアルタイムプロセスモニタレシピ編集、保存、読み出しプロセスデータリコールプロセスデータ出力(Txt形式) 各種キャリブレーションシステム診断　etc.
安全対策		非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
外形寸法・重量		W978 × D1220 × H1780 mm・460kg(*3)

ユーティリティ

項目	装置側接続形状	用力
電源(本体用)	M5端子台×3(RTS) 挿し込み式端子台×1(E)	AC200V三相、50/60Hz、100A
電源(パイロメータチラー用)*	接地型2Pコンセント	AC100V、50/60Hz、5A
CDAまたはN2(冷却用)	1/2”Swagelok	0.3[MPa]、710～1133[L/min] ※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用)	1/4”Swagelok	0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水	1/2”Swagelok (またはNPT3/8”)	水温 15℃～35℃ 0.3～0.4[MPa]、13[L/min以上] ※100[um]のフィルタを通すこと ※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス	1/4“VCR(Male)	0.15[MPa]、10[slpm]（標準）
キャビネット排気	Φ101.6mm 短管	3000[slpm]以上
ガスボックス排気	Φ101.6mm 短管	3000[slpm]以上
プロセス排気	1/2“Swagelok	－

* ERPパイロメータオプションを選択した場合。

オプション

プロセスガスライン（MFC）追加：最大6系統
ERPパイロメーター（450℃ ～ 1250℃）※専用チラー、キャリブレーションキット付属
Special-TCアセンブリ（100℃ ～ 1050℃）
各種サセプタ（SiCコーティンググラファイト，SiCコーティングシリカ）
各種Siキャリア（Siインゴット）
クオーツライナー（アウトガスプロセス用）
低酸素濃度プロセス用 2重Oリング
低酸素濃度プロセス用残留酸素濃度測定器
スペアパーツキット Level 1，Level 2，Level 3
GEM/SECSⅡ ネットワーク機能
バーコード読み取り機能
ウェハ搬送ロボット組み込み
SMIF (Standard Mechanical Interface) ロードポート搬送

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簡易型スクライバーPELCO® FlexScribe™

PELCO® FlexScribe™は、試料表面にスクライブすることでウェハなどのサンプルを小片化するために最適なツールです。
常に真っ直ぐなスクライブを行うことができるスライド式スクライビング機構に取り付けられたスクライビングホイールを使用しています。

使用可能材料

このツールは、スライドガラス、シリコン、III-V、サファイア、その他の結晶性で脆い材料など、形状に制限のないさまざまな材料のスクライブにご使用頂けます。

Siウェハカット

ガラス基板カット

短冊、小片カット

結晶方向を無視した斜めカット

装置概要

PELCO® FlexScribe™に取り付けられている標準の超硬タングステンカッターは、シリコン、ガラス、GaAs、その他の結晶性材料を含むさまざまなサンプルに最適です。
SiCなど硬度の高い材料向けには、ダイヤモンドのスクライビングホイールもオプションでご用意しております。

オプション

交換用スクライビングホイール	超硬タングステン(標準)、ダイヤモンドの2種類
小サンプル用劈開ペンチ	小さなサンプルの劈開に便利なペンチ FlexScribeによるスクライビング後の破断に最適
簡易劈開キット	劈開ペンチ、ハンドダイヤモンドスクライブペンのセット