
研究開発に特化し様々な接合が可能なワンチャンバー
In-SItuアライメントのウエハ接合装置
研究開発ウエハ接合に特化した 英国 APPLIED MICROENGINERERING 社のウエハ接合装置。
1µm精度の光学アライメントにより、高い歩留まりと優れたウエハ接合を実現。
多様なボンディング技術に対応しており、研究開発・試作開発に適したプロセスマージンの広いウエハ接合装置。
複数サイズのウエハ(小片から8インチまで)に対応し、超極真空条件下(10-8mbar = 1 × 10-6 Pa)でのウエハ接合にも対応 (ROCKタイプ)。
概要
- 1つのチャンバーでアライメント・ウエハボンディングの完結
- 光学アライメントによる1µm精度の位置合わせ、センターピンによる接合時のズレ防止機能
- 独自システムのライブビュー機能によるリアルタイムでの接合の観察(オート/マニュアル操作)
- ウエハエッジクランプ方式により、ウエハの非接触保持・コンタミ防止
- チャンバー内でのプラズマ処理、プラズマ処理後にダイレクトにウエハ接合プロセスへ
- チャンバー内のプラテン温度の上下別々での温度調整が可能、熱膨張によるズレを抑制
装置特徴
チャンバー内部構成
- 窒素・酸素ガスを使用したプラズマ処理により、接合面の活性化
- チャンバー内でのラジカル活性後の水蒸気注入・ギ酸処理も可能
- ウエハ間距離最大30mmによるトリプルスタッティング接合の実現
ROCK
- 超高真空(UHV)環境下(10-8mbar = 10-6Pa)でのウエハ接合
- 表面の酸化層・有機汚染が除去された極限までクリーンな接合界面の実現
- 高精度な界面制御(分子レベル)
- 接着剤や中間層を必要としないダイレクトボンディングの実現
ライブビュー機能
- ライブビュー機能が搭載されており、ウエハ接合時の観察が可能
- リアルタイムでのオート・マニュアル操作
- 温度コントロールが調整可能であり、最適な条件の設定へ
- フルコントロールすることにより、プロセス開発時間の短縮・コスト削減へ
アプリケーション
- 高精度位置合わせを伴う接着剤接合
- MEMSデバイス、圧力センサ、加速度センサ、マイクロ流体デバイス
- 真空封止
- MEMS及びIC向けのウエハレベルパッケージング
- Ⅲ-Ⅴ族化合物の半導体接合
- 3Dインターコネクト・TSV(シリコン通貫ビア)
- 高度な接合基板
- 量子コンピューター UHV(超高真空)技術
主な仕様
AWB | ROCK | |||
---|---|---|---|---|
装置タイプ | AWB-04 | AWB-08 | ROCK-04 | ROCK-08 |
対象ウエハサイズ | 3、4、6 インチウエハ |
6、8 インチウエハ |
3、4、6 インチウエハ |
6、8 インチウエハ |
アライメント精度 | 1µm | |||
チャンバー内圧 | 10⁻⁶mbar – 2 bar | 10⁻⁸mbar – 2 bar | ||
プラテン温度 | 最大 560℃ | |||
接合圧 | 最大40kN (約4トン) | |||
陽極接合電圧 | 最大2.5kV | |||
チップ接合 | 対応 | 非対応 | 対応 | 非対応 |
装置サイズ | 1,230(L)×832(W)×1,704(H) mm | 2,110(L)×915(W)×2,242(H) mm | 1,230(L)×832(W)×1,704(H) mm | 2,110(L)×915(W)×2,242(H) mm |
付帯設備 | – | – | ヘリウム圧縮機 : 450(L)×660(W)×565(H) mm | ヘリウム圧縮機 : 450(L)×660(W)× 565(H) mm |
オプション |
UV硬化 近赤外線カメラ |
|||
ユーティリティ | 電源:100VAC CDA:バルブ駆動用 N2ガス:チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス:供給可能 |
電源:100VAC CDA:バルブ駆動用 N2ガス:チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス:供給可能 |
電源:100VAC、3相 CDA:バルブ駆動用 N2ガス:チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス:供給可能 ヘリウム圧縮機:400V 3相 (50Hz) or 460V 3相 (60Hz) |
電源:100VAC、3相 CDA:バルブ駆動用 N2ガス:チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス:供給可能 ヘリウム圧縮機:400V 3相 (50Hz) or 460V 3相 (60Hz) |
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