WSB2 ウエハーボンダー

WSB2 ウエハーボンダー

まえがき

LOGITECH

シリコン、GaAs及びInPのような薄く割れ易いII-VI及びIII-V半導体を処理するためのボンディング技術ではデリケートなハンドリング方法が要求されます。このような材料をボンドする研究室では高い品質のサンプル歩留まりを維持して、ウエハの前処理段階でこれらの高価な材料の破損を最小限にする必要があります。

Logitech社のウエハサブストレートボンディング装置はこのような要求に対応するために設計されました。
シングルステーション又は3ステーションの装置があり、この高度に自動化されたマシンには真空及び加圧ボンディング設備をもっており、3つの部品又は4″ (102mm)又は6″ (152mm)のどちらかの径までのウエハ全体をマウントしてボンディングできます。
システムは1枚の大きいウエハでも、又は異なる厚みの複数の小さいウエハでも、ディスク平行度を保証する一貫した高水準のウエハをつくりだします。
マシンのフロントパネル上のプロセスディスプレーのタッチボタンコントールですべてのプロセスパラメータを正確にコントロールできます。
これには、特殊なサンプルタイプに必要な環境をつくるためのプログラム可能なボンディング温度及び真空が含まれます。

操作方法

ウエハサブストレートボンダーのボンディングチャンバー内にあるフレキシブルなダイアフラムを精密にコントロールすることにより、超薄ウエハの割れをなくし、再現性のあるボンド厚み及び優れた寸法精度が達成されます。
ダイアフラムはウエハがワックスレイヤーの中にコントロールされた方法で押し込まれ、ウエハ及びそのデバイスを保護するための均一で平行なクッションをつくります。
装置はサンプル及びデバイス構造がサポートディスクと接触しないように設計されています。

プロセスデータディスプレーのソフトキーにより一連のスクリーンオプションを使用して、装置をプログラムし、広範囲の温度及び加圧でサンプルをボンドすることができます。
ウエハサブストレートボンディング装置に組み込まれている加圧ボンディング設備は真空及び圧力を使って最高の結果をご提供します。

WSB2 ウエハーボンダー写真

各真空/圧力チャンバーには、使用しているモデルにより、4″又は6″径で8mmまでの厚みのサポートディスクが入ります。
サンプルが1つ又はすべての真空/圧力チャンバーの中に入ると、コントロールシステムは前以てプログラムされた値まで真空を上げ、温度を上げます。

マシンはそれから”ソーク”ステージに進み、温度がサブストレート及びサンプルの中に均一化され、ワックスのガス放出が起こります。
この時間は1から59分までプリセットできます。
その後、大気圧のエアが上部チャンバーの中に入り、ダイアフラムをサンプル上に押さえ込みます。
サンプルが更に1から59分までのプリセット時間でこの精密ボンディングが行われると、マシンは冷却サイクルに入り、ウエハは高精密にボンドされます。

大気圧が不充分で、所要のボンドができない場合は、ウエハがより強い圧力でワックスに押し付けるようにダイアフラムに追加の圧力をかけることができます。
ウエハチャンバー排気、加熱、加圧ボンディング及び冷却のボンディングプロセスは、ボンド温度にもよるが、45分で自動的に完了できます。

仕様

最大サポートディスクサイズ
モデルにより108mm (4,25″)又は159mm (6.25″)
厚み 8mm (0.31″)
最大容量 1*又は3***ウエハー
寸法 4inch(102mm)バージョン 6inch(152mm)バージョン
高さ 350mm 350mm***
奥行き 580mm 580mm***
520mm*
960mm***
1200mm***
重量 31kg*
57kg***
117kg***
電源 0.72kW*(240V)0.66kW*(110V)
1.4kW***(240V)
1.44kW***(110V)
3.12kW(240V)
給水 Mains pressure cold water Mains pressure cold water
加圧エア(オプション) 最大2bar+/-0.2barに調整 最大2bar +/-0.2barに調整

注意:この装置には上水道に接続する必要があります。
*** は3ステーション装置を表します。
* はシングルステーション装置を表します。

動作ムービー

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