真空ランプアニール装置(RTP・RTA)
AccuThermo AW820V (8インチ対応)



AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視~赤外光照射により、ウェハを高速かつ正確にコントロールされた温度で加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置です。

AccuThermo AW820は真空雰囲気または任意のプロセスガス雰囲気で、最大8インチウェハ、2インチウェハ×16枚、3インチウェハ×5枚、4インチウェハ×4枚のアニール処理に対応するRTP・RTAシステムです。

Si デバイス 化合物半導体 PVセル

特長

  • 真空プロセスに対応 (到達真空度 0.01Pa※ターボ分子ポンプ使用時)
  • スロットルバルブ制御による真空度調節対応。
  • チップ~最大8インチφウェハのRTA(Rapid Thermal Annealing)に対応。
  • 2インチφウェハ 16枚同時処理、3インチφウェハ 5枚同時処理、4インチφウェハ 4枚同時処理に対応※サセプタ使用時
  • 熱電対検出温度をフィードバックし、ランプ出力をコントロールするクローズドループ処理対応。
  • 最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 100℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
  • ガスパージによる高速冷却に対応。
  • 非接触加熱、コールドウォール構造によるクリーン加熱。
  • RTA処理に最適化された温度制御アルゴリズムにより、オーバーシュート、アンダーシュートのない熱処理が可能。
  • 上下面平行ランプ加熱による優れた均熱性、高速応答性。
  • ランプのゾーン出力コントロールによる均熱性向上に対応。(面内均熱性 Δ10℃@1,000℃)
  • 最大5系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備可能。
  • PC上でレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理が可能。
  • PC上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
  • ウォッチドッグタイマー、過熱防止器、冷却水循環流量監視 等の安全対策。


真空チャンバー・加熱モジュールデザイン

アプリケーション

  • イオン注入後の活性化処理
  • オーミックコンタクト形成
  • GaAs, GaN, InP, SiC 等 化合物半導体のアニール
  • PZT、SBT等 強誘電体薄膜の結晶化アニール
  • PVセルのアニール
  • 酸化膜生成
  • シリサイド形成,サリサイド形成
  • Polyシリコンのアニール処理

オプション

プロセスガス増設

AccuThermo AW820Vは、標準でMFC(マスフローコントローラ)が2台組み込まれています。オプションで最大5台のMFCをシステムに組み込むことができます。
標準対応のプロセスガスは、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、フォーミングガス(水素5%程度まで)で、その他、アンモニアや水素、亜酸化窒素等のガス対応も可能です。

各種サセプタ

チップデバイスの熱処理および、赤外線を透過するサファイヤ基板や、化合物半導体基板の熱処理に対応する各種高品質サセプターをご用意。
ベースとカバーの組み合わせ、およびベースのみでの販売に対応します。


3インチφウェハ用サセプタ
ベース(左)、カバー(右)


2インチφウェハ×4枚用サセプタ
ベース(左)、カバー(右)

■ SiCコーティング カーボンサセプタ
カーボン(黒鉛)基材に高純度SiCコーティングを施した標準サセプタ。

[仕様]

使用温度範囲 100℃~950℃ @真空化、不活性ガス雰囲気下
昇温速度 15℃/sec以下
対応温度センサ TC,Special-TC

[ラインナップ]

品名
4インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ
6インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ
2インチφ × 4枚 SiCコーティング カーボンサセプタ
3インチφ × 3枚 SiCコーティング カーボンサセプタ

■SiCサセプタ
高純度焼結SiCサセプター。

[仕様]

使用温度範囲 100℃~1050℃ @真空下、不活性ガス雰囲気下
昇温速度 20℃/sec以下
対応温度センサ TC,Special-TC

[ラインナップ]

品名
4インチφ SiCサセプタ
6インチφ SiCサセプタ
2インチφ × 4枚 SiCサセプタ
3インチφ × 3枚 SiCサセプタ
2インチφ × 16枚 SiCサセプタ
3インチφ × 5枚 SiCサセプタ
4インチφ × 4枚 SiCサセプタ

その他 オプション

  • 真空度モニタ、調圧機能
  • 大気圧プロセス
  • スペアパーツキット Level 1,Level 2,Level 3
  • スペア 石英ウィンドウ
  • スペア 石英トレイ
  • ドライ真空ポンプ
  • ターボ分子ポンプ
  • GEM/SECSⅡ ネットワーク機能

仕様

仕様・性能

項目 仕様
対応基板サイズ φ4インチ ~ φ8インチ
サセプタ使用時:チップデバイス~φ6インチ
200mm × 200mm 角型基板
到達真空度 0.01Pa(*1)
真空度調圧範囲(オプション) 6.7Pa ~ 1733Pa,大気圧
温度制御範囲 100℃ ~ 1250℃
加熱方式 赤外線ランプ放射加熱
冷却方式 ガスパージによる冷却
加熱方向 上下面2方向
温度制御方式 検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度 10℃/sec ~ 120℃/sec(*2)
降温速度 10℃/sec ~ 100℃/sec(*3)
温度測定精度 ±1℃(校正後)
面内温度分布 ΔT 10℃(*2)
ランプ本数 1500W×28本 (Top 14、Bottom 14)
ゾーン制御 4ゾーン独立制御
ウェハ搬送方式 マニュアルローディング
プロセス処理室、試料搭載部 石英ウィンドウ付 アルミニウムチャンバー、石英トレイ
チャンバー冷却方式 空冷および水冷式
プロセスガス種 N2、O2、He、Ar、フォーミングガス
(その他のガス種はご相談ください)
プロセスガス系統数 標準 2(N2および任意ガス) [Option] 最大4
プロセスガス流量制御範囲 標準 0.2slpm ~ 10slpm(MFCによる制御)
登録レシピ数 制限なし
レシピ当たりのステップ数 最大40ステップ
(サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
制御用PC 専用デスクトップPC(組み込み)、17インチ液晶モニタ、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能 リアルタイムプロセスモニタ
レシピ編集、保存、読み出し
プロセスデータリコール
プロセスデータ出力(Txt形式)
各種キャリブレーション
システム診断 etc.
安全対策 非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
装置外形寸法・重量
(*3)
W978 × D1220 × H1780 mm・460kg

*1 適切なターボ分子ポンプを接続した場合。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。
*3 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*4 真空ポンプ等 周辺機器は含まれておりません。

ユーティリティ

項目 装置側形状 用力
電源(本体用) M5端子台×3(RTS)
挿し込み式端子台×1(E)
AC200V三相、50/60Hz、100A
電源(真空ポンプ用) 真空ポンプ仕様による 
CDAまたはN2(冷却用) 3/8”Swagelok 0.4[MPa]、710~1133[L/min]
※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用) 1/4”Swagelok 0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水 1/2”Swagelok
(またはNPT3/8”)
水温 15℃~35℃
0.3~0.4[MPa]、13[L/min以上]
※100[um]のフィルタを通すこと
※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス 1/4“VCR(オス) 0.15[MPa]、10[slpm](標準)
キャビネット排気 Φ101.6mm 短管 1400[slpm]以上
ガスボックス排気 Φ101.6mm 短管 1400[slpm]以上
プロセス排気 1/2“Swagelok

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