真空ランプアニール装置(RTP・RTA)

AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視～赤外光照射により、ウェハを高速かつ正確にコントロールされた温度で加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置です。

AccuThermo AW820は真空雰囲気または任意のプロセスガス雰囲気で、最大8インチウェハ、2インチウェハ×16枚、3インチウェハ×5枚、4インチウェハ×4枚のアニール処理に対応するRTP・RTAシステムです。

Si デバイス	化合物半導体	PVセル

特長

真空プロセスに対応 (到達真空度 0.01Pa※ターボ分子ポンプ使用時)
スロットルバルブ制御による真空度調節対応。
チップ～最大8インチφウェハのRTA(Rapid Thermal Annealing)に対応。
2インチφウェハ 16枚同時処理、3インチφウェハ 5枚同時処理、4インチφウェハ 4枚同時処理に対応※サセプタ使用時
熱電対検出温度をフィードバックし、ランプ出力をコントロールするクローズドループ処理対応。
最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 100℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
ガスパージによる高速冷却に対応。
非接触加熱、コールドウォール構造によるクリーン加熱。
RTA処理に最適化された温度制御アルゴリズムにより、オーバーシュート、アンダーシュートのない熱処理が可能。
上下面平行ランプ加熱による優れた均熱性、高速応答性。
ランプのゾーン出力コントロールによる均熱性向上に対応。(面内均熱性 Δ10℃＠1,000℃)
最大5系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備可能。
PC上でレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理が可能。
PC上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
ウォッチドッグタイマー、過熱防止器、冷却水循環流量監視等の安全対策。

真空チャンバー・加熱モジュールデザイン

アプリケーション

イオン注入後の活性化処理
オーミックコンタクト形成
GaAs, GaN, InP, SiC 等化合物半導体のアニール
PZT、SBT等強誘電体薄膜の結晶化アニール
PVセルのアニール
酸化膜生成
シリサイド形成,サリサイド形成
Polyシリコンのアニール処理

オプション

プロセスガス増設

AccuThermo AW820Vは、標準でMFC(マスフローコントローラ)が2台組み込まれています。オプションで最大5台のMFCをシステムに組み込むことができます。
標準対応のプロセスガスは、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、フォーミングガス(水素5%程度まで)で、その他、アンモニアや水素、亜酸化窒素等のガス対応も可能です。

各種サセプタ

チップデバイスの熱処理および、赤外線を透過するサファイヤ基板や、化合物半導体基板の熱処理に対応する各種高品質サセプターをご用意。
ベースとカバーの組み合わせ、およびベースのみでの販売に対応します。

3インチφウェハ用サセプタ
ベース(左)、カバー(右)

2インチφウェハ×4枚用サセプタ
ベース(左)、カバー(右)

■ SiCコーティングカーボンサセプタ
カーボン(黒鉛)基材に高純度SiCコーティングを施した標準サセプタ。

[仕様]

使用温度範囲	100℃～950℃ ＠真空化、不活性ガス雰囲気下
昇温速度	15℃/sec以下
対応温度センサ	TC，Special-TC

[ラインナップ]

品名
4インチφ SiCコーティングカーボンサセプタ
6インチφ SiCコーティングカーボンサセプタ
2インチφ × 4枚 SiCコーティングカーボンサセプタ
3インチφ × 3枚 SiCコーティングカーボンサセプタ

■SiCサセプタ
高純度焼結SiCサセプター。

[仕様]

使用温度範囲	100℃～1050℃ ＠真空下、不活性ガス雰囲気下
昇温速度	20℃/sec以下
対応温度センサ	TC，Special-TC

[ラインナップ]

品名
4インチφ SiCサセプタ
6インチφ SiCサセプタ
2インチφ × 4枚 SiCサセプタ
3インチφ × 3枚 SiCサセプタ
2インチφ × 16枚 SiCサセプタ
3インチφ × 5枚 SiCサセプタ
4インチφ × 4枚 SiCサセプタ

その他オプション

真空度モニタ、調圧機能
大気圧プロセス
スペアパーツキット Level 1，Level 2，Level 3
スペア石英ウィンドウ
スペア石英トレイ
ドライ真空ポンプ
ターボ分子ポンプ
GEM/SECSⅡ ネットワーク機能

仕様

仕様・性能

項目		仕様
対応基板サイズ		φ4インチ～ φ8インチサセプタ使用時：チップデバイス～φ6インチ 200mm × 200mm 角型基板
到達真空度		0.01Pa(*1)
真空度調圧範囲(オプション)		6.7Pa ～ 1733Pa，大気圧
温度制御範囲		100℃ ～ 1250℃
加熱方式		赤外線ランプ放射加熱
冷却方式		ガスパージによる冷却
加熱方向		上下面2方向
温度制御方式		検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度		10℃/sec ～ 120℃/sec(*2)
降温速度		10℃/sec ～ 100℃/sec(*3)
温度測定精度		±1℃(校正後)
面内温度分布		ΔT 10℃(*2)
ランプ本数		1500W×28本 (Top 14、Bottom 14)
ゾーン制御		4ゾーン独立制御
ウェハ搬送方式		マニュアルローディング
プロセス処理室、試料搭載部		石英ウィンドウ付アルミニウムチャンバー、石英トレイ
チャンバー冷却方式		空冷および水冷式
プロセスガス種		N2、O2、He、Ar、フォーミングガス (その他のガス種はご相談ください)
プロセスガス系統数		標準 2(N2および任意ガス) [Option] 最大4
プロセスガス流量制御範囲		標準 0.2slpm ～ 10slpm(MFCによる制御)
登録レシピ数		制限なし
レシピ当たりのステップ数		最大40ステップ (サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
制御用PC		専用デスクトップPC(組み込み)、17インチ液晶モニタ、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能		リアルタイムプロセスモニタレシピ編集、保存、読み出しプロセスデータリコールプロセスデータ出力(Txt形式) 各種キャリブレーションシステム診断　etc.
安全対策		非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
装置外形寸法・重量 (*3)		W978 × D1220 × H1780 mm・460kg

*1 適切なターボ分子ポンプを接続した場合。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。
*3 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*4 真空ポンプ等周辺機器は含まれておりません。

ユーティリティ

項目	装置側形状	用力
電源(本体用)	M5端子台×3(RTS) 挿し込み式端子台×1(E)	AC200V三相、50/60Hz、100A
電源(真空ポンプ用)	－	真空ポンプ仕様による
CDAまたはN2(冷却用)	3/8”Swagelok	0.4[MPa]、710～1133[L/min] ※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用)	1/4”Swagelok	0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水	1/2”Swagelok (またはNPT3/8”)	水温 15℃～35℃ 0.3～0.4[MPa]、13[L/min以上] ※100[um]のフィルタを通すこと ※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス	1/4“VCR(オス)	0.15[MPa]、10[slpm]（標準）
キャビネット排気	Φ101.6mm 短管	1400[slpm]以上
ガスボックス排気	Φ101.6mm 短管	1400[slpm]以上
プロセス排気	1/2“Swagelok	－