真空ランプアニール装置(RTP・RTA)AccuThermo AW820V (8インチ対応)


スタンドアローン
8インチ対応 真空RTAシステム

AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視~赤外光照射により、最大1250℃、昇温速度100℃/secでウェハの加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置(RTP・RTAシステム)です。

AccuThermo AW820V真空中または任意のプロセスガス雰囲気で、最大8インチウェハ、または2インチウェハ×16枚、3インチウェハ×5枚、4インチウェハ×4枚のアニール処理に対応可能な真空RTP・RTAシステムです。
研究開発・試作用途のほか、小ロット生産にも対応可能な高性能・高信頼性ランプアニールシステムです。

Si デバイス 化合物半導体 PVセル

アプリケーション

  • イオン注入後の活性化処理
  • オーミックコンタクト形成
  • GaAs, GaN, InP, SiC 等 化合物半導体のアニール
  • PZT、SBT等 強誘電体薄膜の結晶化アニール
  • PVセルのアニール
  • 酸化膜生成
  • シリサイド形成,サリサイド形成
  • Polyシリコンのアニール処理

特長

  • 真空プロセスに対応(到達真空度 0.01Pa※ターボ分子ポンプ使用時)
  • スロットルバルブ制御による真空度調圧制御に対応。
  • 最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 150℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
  • ランプゾーン出力制御(10ゾーン)による均熱性の向上(Δ10℃以内)
  • 非接触加熱、コールドウォール構造によるクリーン熱処理
  • MFCによるプロセスガス流量制御(プログラマブル、最大5系統のMFCを組み込み可能)
  • RTAプロセスに最適化された温度制御アルゴリズム。
  • 組み込みPCによるレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理。
  • ソフトウェア上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
  • ウォッチドッグタイマー、過昇温防止、冷却水循環流量監視 等の徹底された安全対策。

真空チャンバー・加熱モジュールデザイン

RTAProソフトウェア

AccuThermoシリーズRTAシステムには組み込みボードPCおよびRTAProソフトウェアが標準搭載されており、グラフィカルなインターフェイス上で任意のアニールレシピの作成・保存・実行、および プロセスデータの管理を行うことができます。また、ソフトウェア上で熱電対回路やパイロメータ、チャンバー/ランプ等のキャリブレーションを容易に行うことができ、安定かつ再現性の高いアニールプロセスを実行できます。


リアルタイムプロセスモニタ

レシピ作成・編集

システム診断

仕様

項目 仕様
対応基板サイズ [標準] φ5インチ ~ φ8インチ
[オプション] φ2インチ ~ φ4インチ
[オプション] 200mm × 200mm 角型基板
[オプション] サセプタ使用時:個片チップ~φ8インチ
到達真空度 0.01Pa(*1)
真空度調圧範囲(オプション) 6.7Pa ~ 1733Pa,大気圧
温度制御範囲 100℃ ~ 1250℃
加熱方式 赤外線ランプ放射加熱(1.5kW×27本,Top 13、Bottom 14)
冷却方式 ガスパージによる強制空冷
加熱方向 上下面2方向
温度制御方式 検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度 10℃/sec ~ 100℃/sec(*2)
降温速度 10℃/sec ~ 100℃/sec(*3)
温度測定精度 ±1℃(校正後)
面内温度均一性 ΔT 10℃(*2)
ランプゾーン数 10ゾーン独立制御
試料ローディング方式 フロントローディング(手動)
プロセス処理室、試料搭載部 上下面石英ウィンドウ付 アルミニウムチャンバー、石英トレイ
チャンバー冷却方式 空冷・水冷併用
プロセスガス種 N2、O2、He、Ar、フォーミングガス(水素濃度5%程度)
その他のガス種はご相談ください
プロセスガス系統数 [標準] 1系統(N2)
[オプション] 最大5系統
プロセスガス流量制御範囲 [標準] 0.2slpm ~ 10slpm (MFCによる制御)
[オプション] 20sccm ~ 1000sccm (MFCによる制御) 他
登録レシピ数 制限なし
レシピ当たりのステップ数 最大40ステップ
(サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
プロセス制御方式 装置組み込みコンピューターボード、RTAProソフトウェア、17インチタッチスクリーン、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能 リアルタイムプロセスモニタ
レシピ編集、保存、読み出し
プロセスデータリコール
プロセスデータ出力(Txt形式)
各種キャリブレーション
システム診断 etc.
安全対策 非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
外形寸法・重量 W978 × D1220 × H1780 mm・460kg(*4)

*1 適切な真空ポンプを接続した場合。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。
*3 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*4 装置寸法・重量には、周辺機器は含まれておりません。

ユーティリティ

項目 装置側接続形状 用力
電源(本体用) M5端子台×3(RTS)
挿し込み式端子台×1(E)
AC200V三相、50/60Hz、100A
電源(真空ポンプ用) 真空ポンプの仕様による
CDAまたはN2(冷却用) 1/2”Swagelok 0.3[MPa]、710~1133[L/min]
※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用) 1/4”Swagelok 0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水 1/2”Swagelok
(またはNPT3/8”)
水温 15℃~35℃
0.3~0.4[MPa]、13[L/min以上]
※100[um]のフィルタを通すこと
※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス 1/4“VCR(Male) 0.15[MPa]、10[slpm](標準)
真空 NW25 真空仕様による
キャビネット排気 Φ101.6mm 短管 3000[slpm]以上
ガスボックス排気 Φ101.6mm 短管 3000[slpm]以上
プロセス排気 1/2“Swagelok

オプション

  • 真空ポンプ(ドライポンプ、ターボ分子ポンプ)
  • 真空度モニタ、調圧機能
  • 大気圧プロセス対応
  • プロセスガスライン(MFC)追加:最大5系統
  • 各種サセプタ(SiCコーティンググラファイト,SiCコーティングシリカ)
  • 各種Siキャリア(Siインゴット)
  • 低酸素濃度プロセス用 2重Oリング
  • 低酸素濃度プロセス用 残留酸素濃度測定器
  • スペアパーツキット Level 1,Level 2,Level 3
  • GEM/SECSⅡ ネットワーク機能

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