
AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視~赤外光照射により、ウェハを高速かつ正確にコントロールされた温度で加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置です。
AccuThermo AW820は真空雰囲気または任意のプロセスガス雰囲気で、最大8インチウェハ、2インチウェハ×16枚、3インチウェハ×5枚、4インチウェハ×4枚のアニール処理に対応するRTP・RTAシステムです。
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Si デバイス | 化合物半導体 | PVセル |
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特長
- 真空プロセスに対応 (到達真空度 0.01Pa※ターボ分子ポンプ使用時)
- スロットルバルブ制御による真空度調節対応。
- チップ~最大8インチφウェハのRTA(Rapid Thermal Annealing)に対応。
- 2インチφウェハ 16枚同時処理、3インチφウェハ 5枚同時処理、4インチφウェハ 4枚同時処理に対応※サセプタ使用時
- 熱電対検出温度をフィードバックし、ランプ出力をコントロールするクローズドループ処理対応。
- 最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 100℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
- ガスパージによる高速冷却に対応。
- 非接触加熱、コールドウォール構造によるクリーン加熱。
- RTA処理に最適化された温度制御アルゴリズムにより、オーバーシュート、アンダーシュートのない熱処理が可能。
- 上下面平行ランプ加熱による優れた均熱性、高速応答性。
- ランプのゾーン出力コントロールによる均熱性向上に対応。(面内均熱性 Δ10℃@1,000℃)
- 最大5系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備可能。
- PC上でレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理が可能。
- PC上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
- ウォッチドッグタイマー、過熱防止器、冷却水循環流量監視 等の安全対策。
真空チャンバー・加熱モジュールデザイン
アプリケーション
- イオン注入後の活性化処理
- オーミックコンタクト形成
- GaAs, GaN, InP, SiC 等 化合物半導体のアニール
- PZT、SBT等 強誘電体薄膜の結晶化アニール
- PVセルのアニール
- 酸化膜生成
- シリサイド形成,サリサイド形成
- Polyシリコンのアニール処理
オプション
プロセスガス増設
AccuThermo AW820Vは、標準でMFC(マスフローコントローラ)が2台組み込まれています。オプションで最大5台のMFCをシステムに組み込むことができます。
標準対応のプロセスガスは、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、フォーミングガス(水素5%程度まで)で、その他、アンモニアや水素、亜酸化窒素等のガス対応も可能です。
各種サセプタ
チップデバイスの熱処理および、赤外線を透過するサファイヤ基板や、化合物半導体基板の熱処理に対応する各種高品質サセプターをご用意。
ベースとカバーの組み合わせ、およびベースのみでの販売に対応します。
■ SiCコーティング カーボンサセプタ
カーボン(黒鉛)基材に高純度SiCコーティングを施した標準サセプタ。
[仕様]
使用温度範囲 | 100℃~950℃ @真空化、不活性ガス雰囲気下 |
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昇温速度 | 15℃/sec以下 |
対応温度センサ | TC,Special-TC |
[ラインナップ]
品名 |
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4インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ |
6インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ |
2インチφ × 4枚 SiCコーティング カーボンサセプタ |
3インチφ × 3枚 SiCコーティング カーボンサセプタ |
■SiCサセプタ
高純度焼結SiCサセプター。
[仕様]
使用温度範囲 | 100℃~1050℃ @真空下、不活性ガス雰囲気下 |
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昇温速度 | 20℃/sec以下 |
対応温度センサ | TC,Special-TC |
[ラインナップ]
品名 |
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4インチφ SiCサセプタ |
6インチφ SiCサセプタ |
2インチφ × 4枚 SiCサセプタ |
3インチφ × 3枚 SiCサセプタ |
2インチφ × 16枚 SiCサセプタ |
3インチφ × 5枚 SiCサセプタ |
4インチφ × 4枚 SiCサセプタ |
その他 オプション
- 真空度モニタ、調圧機能
- 大気圧プロセス
- スペアパーツキット Level 1,Level 2,Level 3
- スペア 石英ウィンドウ
- スペア 石英トレイ
- ドライ真空ポンプ
- ターボ分子ポンプ
- GEM/SECSⅡ ネットワーク機能
仕様
仕様・性能
項目 | 仕様 | |
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対応基板サイズ | φ4インチ ~ φ8インチ サセプタ使用時:チップデバイス~φ6インチ 200mm × 200mm 角型基板 |
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到達真空度 | 0.01Pa(*1) | |
真空度調圧範囲(オプション) | 6.7Pa ~ 1733Pa,大気圧 | |
温度制御範囲 | 100℃ ~ 1250℃ | |
加熱方式 | 赤外線ランプ放射加熱 | |
冷却方式 | ガスパージによる冷却 | |
加熱方向 | 上下面2方向 | |
温度制御方式 | 検出温度フィードバックによるクローズドループ制御 | |
昇温速度 | 10℃/sec ~ 120℃/sec(*2) | |
降温速度 | 10℃/sec ~ 100℃/sec(*3) | |
温度測定精度 | ±1℃(校正後) | |
面内温度分布 | ΔT 10℃(*2) | |
ランプ本数 | 1500W×28本 (Top 14、Bottom 14) | |
ゾーン制御 | 4ゾーン独立制御 | |
ウェハ搬送方式 | マニュアルローディング | |
プロセス処理室、試料搭載部 | 石英ウィンドウ付 アルミニウムチャンバー、石英トレイ | |
チャンバー冷却方式 | 空冷および水冷式 | |
プロセスガス種 | N2、O2、He、Ar、フォーミングガス (その他のガス種はご相談ください) |
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プロセスガス系統数 | 標準 2(N2および任意ガス) [Option] 最大4 | |
プロセスガス流量制御範囲 | 標準 0.2slpm ~ 10slpm(MFCによる制御) | |
登録レシピ数 | 制限なし | |
レシピ当たりのステップ数 | 最大40ステップ (サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応) |
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制御用PC | 専用デスクトップPC(組み込み)、17インチ液晶モニタ、キーボード、マウス | |
ソフトウェアの主な機能 | リアルタイムプロセスモニタ レシピ編集、保存、読み出し プロセスデータリコール プロセスデータ出力(Txt形式) 各種キャリブレーション システム診断 etc. |
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安全対策 | 非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc. | |
装置外形寸法・重量 (*3) |
W978 × D1220 × H1780 mm・460kg |
*1 適切なターボ分子ポンプを接続した場合。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。
*3 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*4 真空ポンプ等 周辺機器は含まれておりません。
ユーティリティ
項目 | 装置側形状 | 用力 |
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電源(本体用) | M5端子台×3(RTS) 挿し込み式端子台×1(E) |
AC200V三相、50/60Hz、100A |
電源(真空ポンプ用) | - | 真空ポンプ仕様による |
CDAまたはN2(冷却用) | 3/8”Swagelok | 0.4[MPa]、710~1133[L/min] ※3[um]のフィルタを通すこと |
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用) | 1/4”Swagelok | 0.55[MPa]、30[L/min] |
冷却水 | 1/2”Swagelok (またはNPT3/8”) |
水温 15℃~35℃ 0.3~0.4[MPa]、13[L/min以上] ※100[um]のフィルタを通すこと ※DI水、蒸留水は使用不可 |
プロセスガス | 1/4“VCR(オス) | 0.15[MPa]、10[slpm](標準) |
キャビネット排気 | Φ101.6mm 短管 | 1400[slpm]以上 |
ガスボックス排気 | Φ101.6mm 短管 | 1400[slpm]以上 |
プロセス排気 | 1/2“Swagelok | - |
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