真空セミオート・プローバーHSP-V150(6 inch)/HSP-V200(8 inch)

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MEMSデバイスの超高真空環境下、有機半導体デバイスのガス置換環境下
高低温オン・ウエハ特性評価

MEMSデバイス

RF MEMSデバイスやMEMSタイミングデバイスなど、真空環境での動作を必要とするMEMSデバイスの、高低温(-60℃ ~ +300℃ / +400℃)オン・ウエハ測定に対応できます。
当システムの導入により、非常に高価なプロセスであるパッケージングコストを削減することが可能になります。
インピーダンスアナライザや、RFネットワークアナライザ等を組み合わせることにより、オン・ウエハで、共振特性やトランスミッション特性シミュレーション、SパラメータなどのMEMSデバイス特性を自動取得することができます。

有機半導体デバイス

OFET,OTFT,OEL,OLEDなどの有機半導体デバイスの研究開発段階では、大気中の水分や酸素による
特性劣化を避けるために、高純度な不活性ガス環境下で測定を行う必要があります。
当システムの導入により、真空引き-ガス置換による高純度不活性ガス(N2やAr)環境下で有機半導体
デバイスの高低温(-60℃ ~ +300℃)測定に対応できます。
システムは微小信号測定に対応しており、各種有機半導体デバイスの高精度I-V・C-V測定要求にお応えします。

アプリケーション

  • 真空環境下、高純度ガス置換環境下での+15℃~+300℃ /+400℃ または-60℃~+300℃範囲の温度特性試験
  • 任意真空度環境下(1 x 10E -2Pa ~100,000Pa)での自動特性試験
  • 微小信号I-V測定(fAレベル)
  • 各種C-V測定(Quasi-Static C-V, HF-CV,RF-CV)
  • 各種RF測定(~67GHz)

システム概要


大気側で操作可能なプローブマニピュレータ
(標準で最大6台搭載可能)

安全性に配慮したウェハ交換時のプローブ
チャンバー退避機能

DCプローブ×4,RFプローブ×2(EAST/WEST)
構成

裏面バイアス印可可能な超高真空対応
トライアキシャルチャック

ハーメチックシール測定用フィードスルー
(RF用2.92mm×2,トライアキシャル×4)

ペリフェラルコントローラー

代表仕様

項目 HSP-V150 HSP-V200
対応ウエハサイズ ~φ150mm ~φ200mm
到達真空度 1 x 10E -3Pa (1 x10E-5 Pa オプション)
真空度調圧範囲 1 x 10E -2Pa ~100,000Pa±10%
ステージXY移動範囲 X:160mm,Y:160mm X:210mm, Y:210mm
ステージXY繰り返し精度 <±2um
ステージXY位置決め精度 <±5um
ステージZ移動範囲 20mm
ステージZ繰り返し精度 <±1um
ステージθ移動範囲 ±7.5°
ステージθ位置決め分解能 0.0002°
システム寸法(W×D×H)※ 2500×1800×1900 mm 2700×2000 ×1900 mm
システム重量※ 約1300kg 約1600kg

※システムの構成により変動します。
●記載の仕様は予告なく変更される場合があります。

標準的な自動測定対応ソフトウェア

キーサイト・テクノロジー ・EasyEXPERT group+
・WaferPro Express
・SPARK他
TFF/ケースレーインスツルメンツ ・4200A-SCS KITE (Keithley Interactive Test Environment)
・ACS
ProPlus Design Solutions ・Noisepro

※その他、GP-IB通信対応ソフトウェアで制御可能です。

システムインテグレーション

ハイソルプローブシステムとキーサイト・テクノロジー社製品をインテグレーションし、統合した測定システムとしてご提供させて頂きます。

各種計測機器をはじめ、専用冶具、アクセサリ、カスタムソフトウェア等、お客様のご要求アプリケーションに合わせた最適なシステムをご提案いたします。

ハイソル株式会社は、キーサイト・テクノロジー株式会社の認定ソリューションパートナーです。
B1500A
半導体デバイス・アナライザ
E4991A
インピーダンス・アナライザ
ENAシリーズ
ネットワーク・アナライザ

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