AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視～赤外光照射により、ウェハを高速かつ正確にコントロールされた温度で加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置です。
AccuThermo AW610は最大6インチウェハ、2インチウェハ×4枚、3インチウェハ×3枚、156mm角PVセルのアニール処理に対応する大気圧RTP・RTAシステムで、研究開発・試作用途のほか、小ロット生産にも対応可能な高性能、高信頼性ランプアニールシステムです。
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| Si デバイス | 化合物半導体 | PVセル |
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特長
- コンパクトな卓上型システムで省スペース。
- チップ～最大6インチφウェハのRTA(Rapid Thermal Annealing)に対応。
- 2インチφウェハ 4枚同時処理、3インチφウェハ 3枚同時処理に対応。※サセプタ使用時
- 156mm角 PVセルの熱処理に対応。
- 熱電対またはパイロメータの検出温度をフィードバックし、ランプ出力をコントロールするクローズドループ処理対応。
- 最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 150℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
- ガスパージによる高速冷却に対応。
- 非接触加熱、石英チューブ方式、コールドウォール構造によるクリーン加熱。
- RTA処理に最適化された温度制御アルゴリズムにより、オーバーシュート、アンダーシュートのない熱処理が可能。
- 上下面平行ランプ加熱による優れた均熱性、高速応答性。
- ランプのゾーン出力コントロールによる均熱性向上に対応。(面内均熱性 Δ10℃＠1,000℃)
- 最大6系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備可能。
- 小容量角型石英チューブによりパージ置換方式で残留酸素濃度 10ppm以下の熱処理に対応。
- 簡単なオペレーションで石英チューブ、石英トレイを取り外し交換することが可能。
(デポ物のクリーニング対応が容易) - PC上でレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理が可能。
- PC上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
- ウォッチドッグタイマー、過熱防止器、冷却水循環流量監視 等の安全対策。
アプリケーション
- イオン注入後の活性化処理
- オーミックコンタクト形成
- GaAs, GaN, InP, SiC 等 化合物半導体のアニール
- PZT、SBT等 強誘電体薄膜の結晶化アニール
- PVセルのアニール
- 酸化膜生成
- シリサイド形成,サリサイド形成
- Polyシリコンのアニール処理
オプション
ERPパイロメーター (非接触高温温度計)
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| ERPパイロメーター | 専用チラー |
標準のTC(熱電対)使用モデルの対応温度範囲は100℃～800℃ですが、オプションのERPパイロメータを組み込むことにより450℃～1250℃の熱処理に対応できます。
AccuThermoシリーズのERPパイロメータは専用チラーが付属しており恒温水循環によりセンサヘッドを一定温度に保持します。また石英チューブの温度上昇による温度測定誤差を補正する機能を有しています。
当オプションには、キャリブレーション用TCウェハ、キャリブレーションメータが付属しています。
Special TC NEW
標準のTC(熱電対)使用モデルの対応温度範囲 100℃～800℃を100℃～1100℃に拡張するオプションです。
専用アダプタ、低熱容量熱電対、リアクト防止用セラミックCAP(800℃以上で使用)から構成されます。
マルチプロセスガス
AccuThermo AW610は、標準で窒素 10slpmのMFC(マスフローコントローラ)が1台組み込まれています。オプションで最大6台のMFCをシステムに組み込むことができます。
標準対応のプロセスガスは、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、フォーミングガス(水素5%程度まで)で、その他、アンモニアや水素、亜酸化窒素等のガス対応も可能です。
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| シングルプロセスガスシステム | マルチプロセスガス(2-4)システム |
各種サセプタ
チップデバイスの熱処理および、赤外線を透過するサファイヤ基板や、化合物半導体基板の熱処理に対応する各種高品質サセプターをご用意。
ベースとカバーの組み合わせ、およびベースのみでの販売に対応します。
3インチφウェハ用サセプタ
ベース(左)、カバー(右)
2インチφウェハ×4枚用サセプタ
ベース(左)、カバー(右)
■ SiCコーティング カーボンサセプタ
カーボン(黒鉛)基材に高純度SiCコーティングを施した標準サセプタ。
[仕様]
| 使用温度範囲 | 100℃～950℃ ＠不活性ガス雰囲気下 |
|---|---|
| 昇温速度 | 15℃/sec以下 |
| 対応温度センサ | TC，Special-TC, ERPパイロメーター |
[ラインナップ]
| 品名 |
|---|
| 2インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ |
| 3インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ |
| 4インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ |
| 6インチφ SiCコーティング カーボンサセプタ |
| 2インチφ × 4枚 SiCコーティング カーボンサセプタ |
| 3インチφ × 3枚 SiCコーティング カーボンサセプタ |
■SiCコーティング シリカサセプタ
シリカガラス基材に高純度SiCコーティングを施したパイロメータ専用サセプタ。
[仕様]
| 使用温度範囲 | 100℃～1050℃ ＠不活性ガス雰囲気下 |
|---|---|
| 昇温速度 | 20℃/sec以下 |
| 対応温度センサ | ERPパイロメーター |
[ラインナップ]
| 品名 |
|---|
| 2インチφ SiCコーティング シリカサセプタ |
| 3インチφ SiCコーティング シリカサセプタ |
| 4インチφ SiCコーティング シリカサセプタ |
| 6インチφ SiCコーティング シリカサセプタ |
| 2インチφ × 4枚 SiCコーティング シリカサセプタ |
| 3インチφ × 3枚 SiCコーティング シリカサセプタ |
専用架台
[組み込み対応機器]
- 漏電遮断器
- 絶縁トランス
- 各種減圧弁、流量計
- 冷却水用フィルター
- CDA用フィルター
- メンテナンス用水抜き回路 etc.
その他 オプション
- スペアパーツキット Level 1，Level 2，Level 3
- スペア 石英チューブ
- スペア 石英トレイ
- 156mm角 PVセル対応 石英トレイ
- 石英ライナー(アウトガスプロセス用)
- GEM/SECSⅡ ネットワーク機能
仕様
仕様・性能
| 項目 | 仕様 | |
|---|---|---|
| 対応基板サイズ | φ3インチ ～ φ6インチ サセプタ使用時：チップデバイス～φ6インチ 156mm × 156mm 角型基板 |
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| 温度制御範囲 | TC | 100℃ ～ 800℃ |
| [Option] Special-TC | 100℃ ～ 1100℃ | |
| [Option] ERPパイロメータ | 450℃ ～ 1250℃ | |
| 加熱方式 | 赤外線ランプ放射加熱 | |
| 冷却方式 | ガスパージによる冷却 | |
| 加熱方向 | 上下面2方向 | |
| 温度制御方式 | 検出温度フィードバックによるクローズドループ制御 | |
| 昇温速度 | 10℃/sec ～ 150℃/sec(*1) | |
| 降温速度 | 10℃/sec ～ 100℃/sec(*2) | |
| 温度測定精度 | TC：±1℃(校正後)，ERPパイロメータ：±4℃(校正後) | |
| 面内温度分布 | ΔT 10℃(*1) | |
| ランプ本数 | 1200W×21本 (Top 10、Bottom 11) | |
| ゾーン制御 | 4ゾーン独立制御 | |
| ウェハ搬送方式 | マニュアルローディング | |
| プロセス処理室、試料搭載部 | 石英チューブ、石英トレイ | |
| チャンバー材質 | アルミニウム合金 + Auコーティング | |
| チャンバー冷却方式 | 空冷および水冷式 | |
| プロセスガス種 | N2、O2、He、Ar、フォーミングガス (その他のガス種はご相談ください) |
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| プロセスガス系統数 | 標準 1(N2) [Option] 最大6 | |
| プロセスガス流量制御範囲 | 標準 0.2slpm ～ 10slpm(MFCによる制御) | |
| 登録レシピ数 | 制限なし | |
| レシピ当たりのステップ数 | 最大40ステップ (サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応) |
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| 制御用PC | 専用デスクトップPC、17インチ液晶モニタ、キーボード、マウス | |
| ソフトウェアの主な機能 | リアルタイムプロセスモニタ レシピ編集、保存、読み出し プロセスデータリコール プロセスデータ出力(Txt形式) 各種キャリブレーション システム診断 etc. |
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| 安全対策 | 非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc. | |
| 装置外形寸法・重量 (*3) |
シングルガス | W458 × D432 × H267 mm・40kg |
| マルチガス(2-4MFC) | W662 × D432 × H267 mm・50kg | |
| マルチガス(5-6MFC) | W756 × D432 × H267 mm・55kg | |
| パイロメータチラー外形寸法・重量(*4) | W273 × D483 × H711 mm・23kg | |
*1 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、サイズにより変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*3 装置寸法・重量には、PCおよび周辺機器は含まれておりません。
*4 ERPパイロメータオプションを選択した場合。
ユーティリティ
シングルプロセスガスモデル
| 項目 | 装置側形状 | 用力 |
|---|---|---|
| 電源(本体用) | M5端子台×3(RTS) 挿し込み式端子台×1(E) |
AC200V三相、50/60Hz、50A |
| 電源(PC用) | － | AC100V、50/60Hz、5A |
| 電源(パイロメータチラー用)* | ケーブル2m 切り放し | AC200V単相、50/60Hz、15A |
| CDAまたはN2(冷却用) | 3/8”プッシュロック | 0.3[MPa]、283～425[L/min] ※3[um]のフィルタを通すこと |
| 冷却水 | 1/2”Swagelok (またはNPT3/8”) |
水温 15℃～35℃ 0.3～0.4[MPa]、7.62[L/min以上] ※100[um]のフィルタを通すこと ※DI水、蒸留水は使用不可 |
| プロセスガス | 1/4“Swagelok | 0.15[MPa]、10[slpm]（標準） |
| キャビネット排気 | Φ101.6mm 短管 | 566[slpm]以上 |
| プロセス排気 | 1/4“VCR(メス) | － |
* パイロメータオプション選択時
マルチプロセスガスモデル
| 項目 | 装置側形状 | 用力 |
|---|---|---|
| 電源(本体用) | M5端子台×3(RTS) 挿し込み式端子台×1(E) |
AC200V三相、50/60Hz、50A |
| 電源(PC用) | － | AC100V、50/60Hz、5A |
| 電源(パイロメータチラー用)* | ケーブル2m 切り放し | AC200V単相、50/60Hz、15A |
| CDAまたはN2(冷却用) | 3/8”プッシュロック | 0.3[MPa]、283～425[L/min] ※3[um]のフィルタを通すこと |
| CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用) | 1/4”Swagelok | 0.55[MPa]、30[L/min] |
| 冷却水 | 1/2”Swagelok (またはNPT3/8”) |
水温 15℃～35℃ 0.3～0.4[MPa]、7.62[L/min以上] ※100[um]のフィルタを通すこと ※DI水、蒸留水は使用不可 |
| プロセスガス | 1/4“VCR(オス) | 0.15[MPa]、10[slpm]（標準） |
| キャビネット排気 | Φ101.6mm 短管 | 566[slpm]以上 |
| ガスボックス排気 | Φ101.6mm 短管 | 566[slpm]以上 |
| プロセス排気 | 1/4“VCR(メス) | － |
* パイロメータオプション選択時
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