卓上型真空ガス置換電気炉
VF-3000

卓上型電気炉

アプリケーション

  • 真空または、不活性ガス置換による熱処理が必要な、新機能材料や超伝導体の研究開発
  • 低融点金属の溶融、セラミック材料の焼成

製品の特長

高速昇温

高性能ヒーターを使用しており、常温 → 1000℃まで約10分で到達します。
※空炉、無負荷時の昇温速度です。

真空プロセスに対応

到達真空度100Pa(0.75 Torr)以下で熱処理が可能です。
炉を閉じた時に気密性を持たせるよう、昇降式のステージ上部にOリングを備えて
おり、各種真空ポンプを用いた真空プロセスに対応することができます。

不活性ガス雰囲気下でのプロセスに対応

装置背面にガス導入・排出のポートを有しており、炉内のガスの純度を一定に
保ちながら熱処理を行うことができます。(対応ガス種 N2、Ar)

ワークチェンジが容易に行える昇降式ステージ

ステージは上下に移動する機構になっており、炉の外で試料の設置・取り出しが
できるため、実験を効率的に行えます。

AC100Vで運転可能

電気炉本体は、一般的なコンセントの100V電源で稼動させることができます。
(電流容量 11A)
※真空ポンプの電源は別途必要となります。

プログラム運転、PCによる外部制御に対応

最大で8つの温度制御プログラムを設定することができます。
また、USB接続によるPCからの外部制御も可能です。(オプション)

プログラム運転、PCによる外部制御に対応

※PC・ソフトウェアは別売りです。

操作部

操作部

接続ポート

装置背面に、ガス導入/排出口と真空ポンプ接続の各ポートが配置されています。

接続ポート2

 

炉内構造

炉内上部の熱電対で温度をモニターします。 有効エリアφ80×H50mm内で、均熱が
得られるよう最適なヒーター配置を行なっています。
炉内構造

炉内温度分布

下記は 500℃、600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃ 定常時の炉内温度分布を
示しています。 各温度帯での温度分布は±5℃以下です。
(無負荷、大気状態)

炉内温度分布
A1 A2 B1 B2
500°C 502.7 501.6 509.2 501.1
600°C 600.7 602.2 607.0 604.5
700°C 699.7 701.4 703.4 701.3
800°C 798.9 800.5 800.7 799.5
900°C 898.4 899.8 899.0 897.6
1000°C 998.0 999.8 997.4 996.3

試料設置方法

装置前面のタッチパネル操作でステージを昇降させることができます。
試料の出し入れが容易なため、作業を効率的に行うことが可能です。

試料設置方法_01 試料設置方法_02 試料設置方法_03
炉OPEN 試料設置 炉CLOSE
  ステージが下降し試料の
  設置、取り出しが出来ます。
 セラミックファイバー台の上に
 試料を設置し、タッチパネルの
 [ステージ上昇]を押します。
  ステージが上昇し、
  炉が気密状態になります。

装置仕様

温度制御範囲 100℃~1100℃
常用温度 1000℃
昇温時間 常温から1000℃まで約10分(空炉)
対応ガス種 N2、Ar
到達真空度 100Pa以下(ご使用になる真空ポンプの能力に依存します。)
接続ポート 1/4インチ インサート管継手
(真空接続×1、ガス導入×1、ガス排出×1)
有効炉内寸法 Φ80×H50mm
ヒーター カンタルヒーター
温度センサ R熱電対
温度調節プログラム 最大8プログラム、32セグメント(オプションでパソコン接続可能)
温度制御 2自由度PID制御
外部制御 USB端子×1
外形寸法 W290×D310×H490mm
重量 18kg
電源 AC100V  50/60Hz 消費電力 1100VA
オプション 油回転真空ポンプ(RSP-031V)、到達圧力:0.67Pa
ドライ真空ポンプ(RSP-FD)、到達圧力:1220Pa
ブルドン管真空計
温度制御サポートソフトウェア(USB-シリアル変換ケーブル付属)
標準価格 ¥ 850,000.- (税別)

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