概要

• １つのチャンバーでアライメント・ウエハボンディングの完結
• 光学アライメントによる1µm精度の位置合わせ、センターピンによる接合時のズレ防止機能
• 独自システムのライブビュー機能によるリアルタイムでの接合の観察(オート/マニュアル操作)
• ウエハエッジクランプ方式により、ウエハの非接触保持・コンタミ防止
• チャンバー内でのプラズマ処理、プラズマ処理後にダイレクトにウエハ接合プロセスへ
• チャンバー内のプラテン温度の上下別々での温度調整が可能、熱膨張によるズレを抑制

装置特徴

チャンバー内部構成

• 窒素・酸素ガスを使用したプラズマ処理により、接合面の活性化
• チャンバー内でのラジカル活性後の水蒸気注入・ギ酸処理も可能
• ウエハ間距離最大30mmによるトリプルスタッティング接合の実現

ROCK

• 超高真空(UHV)環境下(10-8mbar = 10-6Pa)でのウエハ接合

• 表面の酸化層・有機汚染が除去された極限までクリーンな接合界面の実現
• 高精度な界面制御(分子レベル)
• 接着剤や中間層を必要としないダイレクトボンディングの実現

ライブビュー機能

• ライブビュー機能が搭載されており、ウエハ接合時の観察が可能
• リアルタイムでのオート・マニュアル操作
• 温度コントロールが調整可能であり、最適な条件の設定へ
• フルコントロールすることにより、プロセス開発時間の短縮・コスト削減へ

アプリケーション

• 高精度位置合わせを伴う接着剤接合
• MEMSデバイス、圧力センサ、加速度センサ、マイクロ流体デバイス
• 真空封止
• MEMS及びIC向けのウエハレベルパッケージング
• Ⅲ-Ⅴ族化合物の半導体接合
• 3Dインターコネクト・TSV（シリコン通貫ビア）
• 高度な接合基板
• 量子コンピューター UHV(超高真空)技術

主な仕様

	AWB		ROCK
装置タイプ	AWB-04	AWB-08	ROCK-04	ROCK-08
対象ウエハサイズ	3、4、6 インチウエハ	6、8 インチウエハ	3、4、6 インチウエハ	6、8 インチウエハ
アライメント精度	1µm
チャンバー内圧	10⁻⁶mbar – 2 bar		10⁻⁸mbar – 2 bar
プラテン温度	最大 560℃
接合圧	最大40kN (約4トン)
陽極接合電圧	最大2.5kV
チップ接合	対応	非対応	対応	非対応
装置サイズ	1,230(L)×832(W)×1,704(H) mm	2,110(L)×915(W)×2,242(H) mm	1,230(L)×832(W)×1,704(H) mm	2,110(L)×915(W)×2,242(H) mm
付帯設備	–	–	ヘリウム圧縮機 : 450(L)×660(W)×565(H) mm	ヘリウム圧縮機 : 450(L)×660(W)× 565(H) mm
オプション	UV硬化 近赤外線カメラ
ユーティリティ	電源：100VAC CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス：供給可能	電源：100VAC CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス：供給可能	電源：100VAC、3相 CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス：供給可能 ヘリウム圧縮機：400V 3相 (50Hz) or 460V 3相 (60Hz)	電源：100VAC、3相 CDA：バルブ駆動用 N2ガス：チャンバー充填、 プラテン/ウエハ冷却 プロセスガス：供給可能 ヘリウム圧縮機：400V 3相 (50Hz) or 460V 3相 (60Hz)

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