アライメント精度±１micron超高精度フリップチップボンダー

特徴

• 光学部品の高精度実装用として開発された超高精度FC/ダイボンダー
• ステージ、コレットのパーツ交換により多様なデバイスに対応。
• オプティカル方式アライメントの為、化合物デバイス端面やガラス部品中の
• マーク認識が可能。低酸素濃度（100ppm以下）やレーザー変位による
• 姿勢制御による高精度実装、3D構造物へのチップボンディング実装等
• オプションアプリケーションを豊富にラインナップ

ボンディング工法と装置対応

工法名	共晶ダイボンディング	熱圧着	金-ハンダ工法	異方性導電 ペースト工法	ハンダバンプ 工法
	金属共晶材による ダイボンディング	熱と圧力による金バンプ 金パッド接合	金バンプにハンダを溶着 パッドに接合	異方性導電ペースト/ACP （またはフィルム）による 接合	ハンダ溶融による 金属接合
本装置による 工法対応
対応機能	共晶材融点までの加熱	加熱+圧力	加熱	加熱+圧力	加熱
対応温度	約165-400℃	350-400℃	220-240℃	150-220℃	220-240℃
必要圧力(I/O)	N/A	80-100g	2-10g	50-100g	5-10g
超音波効果
不活性ガス	必須	不要	要	不要	要

使用材料によりデーターが異なります。
詳細は材料メーカーのデーターを参照下さい。

装置仕様

型式	M1300
機能	半自動型　FCボンダー
アライメント精度	±1.0μm
印加荷重	50-5000g (ロードセル交換）
アライメント	X-Y軸マニュアル / Θ軸 オート

装置寸法

オプション部品

パルスヒーター、超音波ボンディングユニット、不活性ガスボンディングステージ、レーザー変位補助アライメント、他

デバイス毎に製作されるワークホルダ― TO-15用ボンディングステージ (手前 チップハンドリングトレイ）	操作はPCディスプレイよりファイルNo.を読み込むのみ
一般的なボンダー O2濃度1000ppm　雰囲気ボンディング 接合材にボイド発生	ハイソルボンダ― 置換雰囲気ボンディング　O2濃度500ppm 接合材にボイド発生なし

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