ページが見つかりませんでした – ハイソル株式会社 https://www.hisol.jp プローバー・ボンダーのハイソル株式会社:半導体製造装置、検査装置、及び材料などの輸入、設計、製造、販売。 Fri, 29 Mar 2024 01:14:56 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=5.9.9 大気圧ランプアニール装置(RTP・RTA) https://www.hisol.jp/products/wall/rtp-rta-aw610m.html Thu, 28 Mar 2024 01:51:14 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13560 "大気圧ランプアニール装置(RTP・RTA)" の続きを読む »

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国内販売実績 50台以上
研究開発に最適なベストセラーRTAシステム

AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視~赤外光照射により、最大1250℃、昇温速度150℃/secでウェハの加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置(RTP・RTAシステム)です。

AccuThermo AW610Mは最大6インチウェハ、または2インチウェハ×4枚、3インチウェハ×3枚、156mm角PVセルのアニール処理に対応可能な大気圧RTP・RTAシステムで、研究開発・試作用途のほか、小ロット生産にも対応する高性能・高信頼性ランプアニールシステムです。

Si デバイス 化合物半導体 PVセル

アプリケーション

  • イオン注入後の活性化処理
  • オーミックコンタクト形成
  • GaAs, GaN, InP, SiC 等 化合物半導体のアニール
  • PZT、SBT等 強誘電体薄膜の結晶化アニール
  • PVセルのアニール
  • 酸化膜生成
  • シリサイド形成,サリサイド形成
  • Polyシリコンのアニール処理

特長

  • コンパクトな卓上型システムで省スペース。
  • 最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 150℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
  • ランプゾーン出力制御(6ゾーン)による均熱性の向上(Δ10℃以内)
  • 非接触加熱、絶縁石英チューブ、コールドウォール構造によるクリーン熱処理
  • パージ置換方式で残留酸素濃度 10ppm以下の熱処理に対応。
  • 特許のERPパイロメーター(450℃ ~ 1250℃)※オプション
  • MFCによるプロセスガス流量制御(プログラマブル、最大4系統のMFCを組み込み可能)
  • RTAプロセスに最適化された温度制御アルゴリズム。
  • 簡単なオペレーションで石英チューブ、石英トレイを取り外し交換することが可能。(デポ物のクリーニング対応が容易)
  • 組み込みPCによるレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理。
  • ソフトウェア上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
  • ウォッチドッグタイマー、過昇温防止、冷却水循環流量監視 等の徹底された安全対策。

RTAProソフトウェア

AccuThermoシリーズRTAシステムには組み込みボードPCおよびRTAProソフトウェアが標準搭載されており、グラフィカルなインターフェイス上で任意のアニールレシピの作成・保存・実行、および プロセスデータの管理を行うことができます。また、ソフトウェア上で熱電対回路やパイロメータ、チャンバー/ランプ等のキャリブレーションを容易に行うことができ、安定かつ再現性の高いアニールプロセスを実行できます。


リアルタイムプロセスモニタ

レシピ作成・編集

システム診断

仕様

項目 仕様
対応基板サイズ [標準] φ3インチ ~ φ6インチ
[オプション] φ2インチ ~ φ4インチ
[オプション] 156mm × 156mm 角型基板
[オプション] サセプタ使用時:個片チップ~φ6インチ
温度制御範囲 TC 100℃ ~ 800℃
[Option] Special-TC 100℃ ~ 1050℃(*1)
[Option] パイロメータ 450℃ ~ 1250℃(*1)
加熱方式 赤外線ランプ放射加熱(1.2kW×21本,Top 10、Bottom 11)
冷却方式 ガスパージによる強制空冷
加熱方向 上下面2方向
温度制御方式 検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度 10℃/sec ~ 150℃/sec(*1)
降温速度 10℃/sec ~ 150℃/sec(*2)
温度測定精度 TC:±1℃(校正後),ERPパイロメータ:±4℃(校正後)
面内温度均一性 ΔT 10℃(*1)
ランプゾーン数 6ゾーン独立制御
試料ローディング方式 フロントローディング(手動)
プロセス処理室、試料搭載部 石英チューブ、石英トレイ
チャンバー材質 アルミニウム合金 + 拡散反射Auコーティング
チャンバー冷却方式 空冷・水冷併用
プロセスガス種 N2、O2、He、Ar、フォーミングガス(水素濃度5%程度)
その他のガス種はご相談ください
プロセスガス系統数 [標準] 1系統(N2)
[オプション] 最大4系統
プロセスガス流量制御範囲 [標準] 0.2slpm ~ 10slpm (MFCによる制御)
[オプション] 20sccm ~ 1000sccm (MFCによる制御) 他
登録レシピ数 制限なし
レシピ当たりのステップ数 最大40ステップ
(サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
プロセス制御方式 装置組み込みコンピューターボード、RTAProソフトウェア、17インチ液晶モニタ、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能 リアルタイムプロセスモニタ
レシピ編集、保存、読み出し
プロセスデータリコール
プロセスデータ出力(Txt形式)
各種キャリブレーション
システム診断 etc.
安全対策 非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
外形寸法・重量 W660 × D432 × H366 mm・50kg(*3)

*1 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*3 装置寸法・重量には、周辺機器は含まれておりません。

ユーティリティ

項目 装置側接続形状 用力
電源(本体用) M5端子台×3(RTS)
挿し込み式端子台×1(E)
AC200V三相、50/60Hz、50A
電源(パイロメータチラー用)* 接地型2Pコンセント AC100V、50/60Hz、5A
CDAまたはN2(冷却用) 3/8”プッシュロック 0.3[MPa]、283~425[L/min]
※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用) 1/4”Swagelok 0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水 1/2”Swagelok
(またはNPT3/8”)
水温 15℃~35℃
0.3~0.4[MPa]、7.62[L/min以上]
※100[um]のフィルタを通すこと
※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス 1/4“VCR(Male) 0.15[MPa]、10[slpm](標準)
キャビネット排気 Φ101.6mm 短管 3000[slpm]以上
ガスボックス排気 Φ101.6mm 短管 3000[slpm]以上
プロセス排気 1/4“VCR(Male)

* ERPパイロメータオプションを選択した場合。

オプション

  • プロセスガスライン(MFC)追加:最大4系統
  • ERPパイロメーター(450℃ ~ 1250℃)※専用チラー、キャリブレーションキット付属
  • Special-TCアセンブリ(100℃ ~ 1050℃)
  • 各種サセプタ(SiCコーティンググラファイト,SiCコーティングシリカ)
  • 各種Siキャリア(Siインゴット)
  • クオーツライナー(アウトガスプロセス用)
  • 低酸素濃度プロセス用 2重Oリング
  • 低酸素濃度プロセス用 残留酸素濃度測定器
  • スペアパーツキット Level 1,Level 2,Level 3
  • GEM/SECSⅡ ネットワーク機能

専用架台

設計製作にて専用架台をご提供いたします。

[組み込み対応機器]

  • 漏電遮断器
  • 絶縁トランス
  • 各種減圧弁、流量計
  • 冷却水用フィルター
  • CDA用フィルター
  • メンテナンス用水抜き回路 etc.

お問い合わせ

フォームが表示されるまでしばらくお待ち下さい。

恐れ入りますが、しばらくお待ちいただいてもフォームが表示されない場合は、こちらまでお問い合わせください。

個人情報保護方針(プライバシーポリシー)

  • 個人情報に関する法令・規範を遵守します。
  • 当社はお客様の個人情報への不正アクセス、紛失、破壊、改ざん及び漏洩等の防止に努めます。
  • 個人情報は法令に基づき開示される以外は、個人情報をお客様に明示した利用目的の範囲内で取扱い、第三者に譲渡、提供はしません。
  • 当社は個人情報保護に対する取組みを継続的に見直し、適宜改善します。
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大気圧ランプアニール装置(RTP・RTA) https://www.hisol.jp/products/wall/rtp-rta-aw820m.html Thu, 28 Mar 2024 01:09:34 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13548 "大気圧ランプアニール装置(RTP・RTA)" の続きを読む »

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スタンドアローン・長時間プロセス
8インチ対応 RTAシステム

AccuThermoシリーズ高速熱処理装置は、強力な可視~赤外光照射により、最大1250℃、昇温速度150℃/secでウェハの加熱処理を行う赤外線ランプアニール装置(RTP・RTAシステム)です。

AccuThermo AW820Mは最大8インチウェハ、または2インチウェハ×16枚、3インチウェハ×5枚、4インチウェハ×4枚のアニール処理に対応可能な大気圧RTP・RTAシステムで、研究開発・試作用途のほか、小ロット生産にも対応する高性能・高信頼性ランプアニールシステムです。

Si デバイス 化合物半導体 PVセル

アプリケーション

  • イオン注入後の活性化処理
  • オーミックコンタクト形成
  • GaAs, GaN, InP, SiC 等 化合物半導体のアニール
  • PZT、SBT等 強誘電体薄膜の結晶化アニール
  • PVセルのアニール
  • 酸化膜生成
  • シリサイド形成,サリサイド形成
  • Polyシリコンのアニール処理

特長

  • 最高到達温度 1250℃、最高昇温速度 150℃/秒の高速熱処理に対応。※標準的なSiウェハ処理時
  • 1000℃/60min の長時間プロセスに対応可能。 ※詳細はお問合せください
  • ランプゾーン出力制御(10ゾーン)による均熱性の向上(Δ10℃以内)
  • 非接触加熱、絶縁石英チューブ、コールドウォール構造によるクリーン熱処理
  • パージ置換方式で残留酸素濃度 10ppm以下の熱処理に対応。
  • 特許のERPパイロメーター(450℃ ~ 1250℃)※オプション
  • MFCによるプロセスガス流量制御(プログラマブル、最大6系統のMFCを組み込み可能)
  • RTAプロセスに最適化された温度制御アルゴリズム。
  • 簡単なオペレーションで石英チューブ、石英トレイを取り外し交換することが可能。(デポ物のクリーニング対応が容易)
  • 組み込みPCによるレシピ編集/保存、リアルタイムプロセスモニター、プロセスデータ管理。
  • ソフトウェア上でパイロメータキャリブレーションをはじめ各種キャリブレーションに対応。
  • ウォッチドッグタイマー、過昇温防止、冷却水循環流量監視 等の徹底された安全対策。
  • ウェハ自動搬送対応可能 ※オプション

RTAProソフトウェア

AccuThermoシリーズRTAシステムには組み込みボードPCおよびRTAProソフトウェアが標準搭載されており、グラフィカルなインターフェイス上で任意のアニールレシピの作成・保存・実行、および プロセスデータの管理を行うことができます。また、ソフトウェア上で熱電対回路やパイロメータ、チャンバー/ランプ等のキャリブレーションを容易に行うことができ、安定かつ再現性の高いアニールプロセスを実行できます。


リアルタイムプロセスモニタ

レシピ作成・編集

システム診断

仕様

項目 仕様
対応基板サイズ [標準] φ5インチ ~ φ8インチ
[オプション] φ2インチ ~ φ4インチ
[オプション] 200mm × 200mm 角型基板
[オプション] サセプタ使用時:個片チップ~φ8インチ
温度制御範囲 TC 100℃ ~ 800℃
[Option] Special-TC 100℃ ~ 1050℃(*1)
[Option] パイロメータ 450℃ ~ 1250℃(*1)
加熱方式 赤外線ランプ放射加熱(1.5kW×27本,Top 13、Bottom 14)
冷却方式 ガスパージによる強制空冷
加熱方向 上下面2方向
温度制御方式 検出温度フィードバックによるクローズドループ制御
昇温速度 10℃/sec ~ 150℃/sec(*1)
降温速度 10℃/sec ~ 150℃/sec(*2)
温度測定精度 TC:±1℃(校正後),ERPパイロメータ:±4℃(校正後)
面内温度均一性 ΔT 10℃(*1)
ランプゾーン数 10ゾーン独立制御
試料ローディング方式 フロントローディング(手動)
プロセス処理室、試料搭載部 石英チューブ、石英トレイ
チャンバー材質 アルミニウム合金 + 拡散反射Auコーティング
チャンバー冷却方式 空冷・水冷併用
プロセスガス種 N2、O2、He、Ar、フォーミングガス(水素濃度5%程度)
その他のガス種はご相談ください
プロセスガス系統数 [標準] 1系統(N2)
[オプション] 最大6系統
プロセスガス流量制御範囲 [標準] 0.2slpm ~ 10slpm (MFCによる制御)
[オプション] 20sccm ~ 1000sccm (MFCによる制御) 他
登録レシピ数 制限なし
レシピ当たりのステップ数 最大40ステップ
(サイクリックアニールの場合、最大99ループ対応)
プロセス制御方式 装置組み込みコンピューターボード、RTAProソフトウェア、17インチタッチスクリーン、キーボード、マウス
ソフトウェアの主な機能 リアルタイムプロセスモニタ
レシピ編集、保存、読み出し
プロセスデータリコール
プロセスデータ出力(Txt形式)
各種キャリブレーション
システム診断 etc.
安全対策 非常停止SW、過昇温検出、冷却水監視、ドア開閉監視、ウォッチドッグタイマー etc.
外形寸法・重量 W978 × D1220 × H1780 mm・460kg(*3)

*1 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。
*2 標準的なSiウェハによる代表値。試料の材質、熱容量により変動します。また物理的冷却速度に制限されます。
*3 装置寸法・重量には、周辺機器は含まれておりません。

ユーティリティ

項目 装置側接続形状 用力
電源(本体用) M5端子台×3(RTS)
挿し込み式端子台×1(E)
AC200V三相、50/60Hz、100A
電源(パイロメータチラー用)* 接地型2Pコンセント AC100V、50/60Hz、5A
CDAまたはN2(冷却用) 1/2”Swagelok 0.3[MPa]、710~1133[L/min]
※3[um]のフィルタを通すこと
CDAまたはN2(アクチュエータ駆動用) 1/4”Swagelok 0.55[MPa]、30[L/min]
冷却水 1/2”Swagelok
(またはNPT3/8”)
水温 15℃~35℃
0.3~0.4[MPa]、13[L/min以上]
※100[um]のフィルタを通すこと
※DI水、蒸留水は使用不可
プロセスガス 1/4“VCR(Male) 0.15[MPa]、10[slpm](標準)
キャビネット排気 Φ101.6mm 短管 3000[slpm]以上
ガスボックス排気 Φ101.6mm 短管 3000[slpm]以上
プロセス排気 1/2“Swagelok

* ERPパイロメータオプションを選択した場合。

オプション

  • プロセスガスライン(MFC)追加:最大6系統
  • ERPパイロメーター(450℃ ~ 1250℃)※専用チラー、キャリブレーションキット付属
  • Special-TCアセンブリ(100℃ ~ 1050℃)
  • 各種サセプタ(SiCコーティンググラファイト,SiCコーティングシリカ)
  • 各種Siキャリア(Siインゴット)
  • クオーツライナー(アウトガスプロセス用)
  • 低酸素濃度プロセス用 2重Oリング
  • 低酸素濃度プロセス用 残留酸素濃度測定器
  • スペアパーツキット Level 1,Level 2,Level 3
  • GEM/SECSⅡ ネットワーク機能
  • バーコード読み取り機能
  • ウェハ搬送ロボット組み込み
  • SMIF (Standard Mechanical Interface) ロードポート搬送

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個人情報保護方針(プライバシーポリシー)

  • 個人情報に関する法令・規範を遵守します。
  • 当社はお客様の個人情報への不正アクセス、紛失、破壊、改ざん及び漏洩等の防止に努めます。
  • 個人情報は法令に基づき開示される以外は、個人情報をお客様に明示した利用目的の範囲内で取扱い、第三者に譲渡、提供はしません。
  • 当社は個人情報保護に対する取組みを継続的に見直し、適宜改善します。
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簡易型スクライバーPELCO® FlexScribe™ https://www.hisol.jp/products/lattice-ax/flexscribe.html Mon, 19 Feb 2024 01:39:15 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13508 "簡易型スクライバーPELCO® FlexScribe™" の続きを読む »

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簡易型スクライバーPELCO® FlexScribe™

PELCO® FlexScribe™は、試料表面にスクライブすることでウェハなどのサンプルを小片化するために最適なツールです。
常に真っ直ぐなスクライブを行うことができるスライド式スクライビング機構に取り付けられたスクライビングホイールを使用しています。

使用可能材料

このツールは、スライドガラス、シリコン、III-V、サファイア、その他の結晶性で脆い材料など、形状に制限のないさまざまな材料のスクライブにご使用頂けます。

Siウェハカット

Siウェハカット

ガラス基板カット

ガラス基板カット

短冊、小片カット

短冊、小片カット

結晶方向を無視した斜めカット

結晶方向を無視した斜めカット

装置概要

PELCO® FlexScribe™に取り付けられている標準の超硬タングステンカッターは、シリコン、ガラス、GaAs、その他の結晶性材料を含むさまざまなサンプルに最適です。
SiCなど硬度の高い材料向けには、ダイヤモンドのスクライビングホイールもオプションでご用意しております。

簡易型スクライバーPELCO® FlexScribe™

オプション

交換用スクライビングホイール 超硬タングステン(標準)、ダイヤモンドの2種類
小サンプル用劈開ペンチ 小さなサンプルの劈開に便利なペンチ
FlexScribeによるスクライビング後の破断に最適
簡易劈開キット 劈開ペンチ、ハンドダイヤモンドスクライブペンのセット
簡易型スクライバーPELCO® FlexScribe™ オプション

動画

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個人情報保護方針(プライバシーポリシー)

  • 個人情報に関する法令・規範を遵守します。
  • 当社はお客様の個人情報への不正アクセス、紛失、破壊、改ざん及び漏洩等の防止に努めます。
  • 個人情報は法令に基づき開示される以外は、個人情報をお客様に明示した利用目的の範囲内で取扱い、第三者に譲渡、提供はしません。
  • 当社は個人情報保護に対する取組みを継続的に見直し、適宜改善します。
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代表取締役交代のお知らせ https://www.hisol.jp/info/%e4%bb%a3%e8%a1%a8%e5%8f%96%e7%b7%a0%e5%bd%b9%e4%ba%a4%e4%bb%a3%e3%81%ae%e3%81%8a%e7%9f%a5%e3%82%89%e3%81%9b.html Tue, 06 Feb 2024 23:57:53 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13480 "代表取締役交代のお知らせ" の続きを読む »

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謹啓 時下ますますご清祥のこととお慶び申し上げます。
平素は格別のご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。

2024年1月より、新代表取締役社長として
永洞 宏行が就任いたしましたことをお知らせします。

引き続き、社員一丸となって尽力してまいりますので、
今後ともご愛顧賜りますようお願い申し上げます。
謹白

2024年1月
ハイソル株式会社
代表取締役社長 永洞 宏行

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2024年第71回応用物理学会春季学術講演会 https://www.hisol.jp/event/2024%e5%b9%b4%e7%ac%ac71%e5%9b%9e%e5%bf%9c%e7%94%a8%e7%89%a9%e7%90%86%e5%ad%a6%e4%bc%9a%e6%98%a5%e5%ad%a3%e5%ad%a6%e8%a1%93%e8%ac%9b%e6%bc%94%e4%bc%9a.html Wed, 31 Jan 2024 01:07:20 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13477 ハイソルは、2024年第71回応用物理学会春季学術講演会に出展いたします。

ご来場の際には是非、弊社ブースまでお立ち寄りください。

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第38回ネプコンジャパン https://www.hisol.jp/event/%e7%ac%ac38%e5%9b%9e%e3%83%8d%e3%83%97%e3%82%b3%e3%83%b3%e3%82%b8%e3%83%a3%e3%83%91%e3%83%b3.html Thu, 11 Jan 2024 05:55:40 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13404 ハイソルは、第38回ネプコンジャパンに出展いたします。

ご来場の際には是非、弊社ブースまでお立ち寄りください。

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MEMS Engineer Forum (MEF)2024 https://www.hisol.jp/event/mems-engineer-forum-mef2024.html Thu, 11 Jan 2024 05:53:08 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13455 ハイソルは、MEMS Engineer Forum (MEF)2024に出展いたします。

ご来場の際には是非、弊社ブースまでお立ち寄りください。

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日本化学会第104春季年会(2024) https://www.hisol.jp/event/%e6%97%a5%e6%9c%ac%e5%8c%96%e5%ad%a6%e4%bc%9a%e7%ac%ac104%e6%98%a5%e5%ad%a3%e5%b9%b4%e4%bc%9a2024.html Thu, 11 Jan 2024 05:50:50 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13450 ハイソルは、日本化学会第104春季年会(2024)に出展いたします。

ご来場の際には是非、弊社ブースまでお立ち寄りください。

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SEMICON Japan 2023 https://www.hisol.jp/event/semicon-japan-2023.html Mon, 27 Nov 2023 07:42:00 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13402 ハイソルは、SEMICON Japan 2023に出展いたします。

ご来場の際には是非、弊社ブースまでお立ち寄りください。

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ウエハーパーティクル検査装置 https://www.hisol.jp/products/logitech/wafer-particle/ypi-mxmn.html Mon, 13 Nov 2023 02:25:48 +0000 https://www.hisol.jp/?p=13363 "ウエハーパーティクル検査装置" の続きを読む »

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洗浄後のウエハー表面検査に最適で、透明・不透明ウエハーどちらも1台で測定できます。
スラリーや異物といったパーティクルの位置や分布、サイズ、個数などを表示させることが可能です。
高性能でありながら、常識を覆す超低価格です。

YPI-MX(自立タイプ)

YPI-MN(卓上タイプ)

使用用途

  • 洗浄工程の確認
  • CMP工程のモニタリング
  • ウエハーの出荷検査
  • 製造装置導入時のパーティクル確認
  • 前工程 / 後工程装置のモニタリング

特徴

  • 超低価格・高性能
  • 最小60nmサイズの検出(卓上型のYPI-MNは150nm迄)
  • 自動搬送にも対応(カセット to カセット)
  • 測定時間は僅か数分
  • 2~12インチウエハーに対応(卓上型のYPI-MNは8インチ迄)
  • レーザー光散乱方式による検査
  • 透明・不透明、どちらも測定可

測定対象ウエハー(例)

  • 【透明ウエハー】
    SiC, GaN, AlN, LT/LN, 石英, サファイア

  • 【不透明ウエハー】
    Si, GaAs, InP

光散乱方式の検出方法

【トップビュー: レーザーと検出器のレイアウト】

レーザ光源とディテクタは固定され、ステージが回転しながら一方向に移動することにより、外周部から内周部へ螺旋走査方式でウェーハ全面をスキャンをしています。

レーザ光がウェーハ表面異物に当たる際に発生する散乱光をPMTで捕捉し、光電変換する事により、異物の発生位置とサイズを検出し、測定結果マップに表示します。

【サイドビュー: レーザーと検出器のレイアウト】

測定イメージ

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個人情報保護方針(プライバシーポリシー)

  • 個人情報に関する法令・規範を遵守します。
  • 当社はお客様の個人情報への不正アクセス、紛失、破壊、改ざん及び漏洩等の防止に努めます。
  • 個人情報は法令に基づき開示される以外は、個人情報をお客様に明示した利用目的の範囲内で取扱い、第三者に譲渡、提供はしません。
  • 当社は個人情報保護に対する取組みを継続的に見直し、適宜改善します。
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