EMS 半導体デバイス信頼性試験

概要

HiSOL

【長期試験】受託試験サービス

  低温保存試験 電源電圧条件 試験時間 業界規格
高温動作試験 Ta=70℃~125℃ 推奨動作電圧 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
高温高湿動作試験 Ta=70℃~85℃
Ha=60%~90%
推奨動作電圧 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
低温動作試験 Ta=-10℃~-55℃ 推奨動作電圧 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
高温バイアス試験 Ta=70℃~175℃
Ha=60%~90%
最大定格 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
高温高湿バイアス試験 Ta=60℃~85℃ 最大定格 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
高温保存試験 Ta=60℃~175℃ 未印加 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
高温高湿保存試験 Ta=60℃~85℃
Ha=60%~90%
未印加 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
低温保存試験 Ta=-10℃~-55℃ 未印加 1000時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883

【短期試験】受託試験サービス

  試験条件(ユーザ仕様でも可)環境条件 試験時間 業界規格
温度サイクル試験 Ta=125℃(30分) 室温(5分)
Ta=-55℃(30分)
50cycle EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
熱衝撃試験 協議による 100時間 EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
プレッシャークッカー試験 Ta=121℃Ha=100% P=2atm 10cycle EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
温湿度サイクル試験 MIL-STD-202 106Dによる   EIAJ ED-4701
及びMIL-STD-883
静電破壊試験(HBM法) 電源端子対 1.5KΩ、200pF    
静電破壊試験(MM法) 電源端子対 0Ω、200pF    
リフロー試験 デバイス推奨条件    
熱履歴 デバイス推奨条件    
振動試験 協議による    
落下試験 協議による    
引張り強度試験 協議による    

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