WSB2 ウエハーボンディング装置

シリコン、GaAs及びInPのような薄く割れ易いII-VI及びIII-V半導体を処理するためのボンディング技術ではデリケートなハンドリング方法が要求されます。このような材料をボンドする研究室では高い品質のサンプル歩留まりを維持して、ウエハの前処理段階でこれらの高価な材料の破損を最小限にする必要があります。

Logitech社のウエハサブストレートボンディング装置はこのような要求に対応するために設計されました。
シングルステーション又は3ステーションの装置があり、この高度に自動化されたマシンには真空及び加圧ボンディング設備をもっており、3つの部品又は4″ (102mm)又は6″ (152mm)のどちらかの径までのウエハ全体をマウントしてボンディングできます。
システムは1枚の大きいウエハでも、又は異なる厚みの複数の小さいウエハでも、ディスク平行度を保証する一貫した高水準のウエハをつくりだします。
マシンのフロントパネル上のプロセスディスプレーのタッチボタンコントールですべてのプロセスパラメータを正確にコントロールできます。
これには、特殊なサンプルタイプに必要な環境をつくるためのプログラム可能なボンディング温度及び真空が含まれます。

各真空/圧力チャンバーには、使用しているモデルにより、4″又は6″径で8mmまでの厚みのサポートディスクが入ります。
サンプルが1つ又はすべての真空/圧力チャンバーの中に入ると、コントロールシステムは前以てプログラムされた値まで真空を上げ、温度を上げます。

マシンはそれから”ソーク”ステージに進み、温度がサブストレート及びサンプルの中に均一化され、ワックスのガス放出が起こります。
この時間は1から59分までプリセットできます。
その後、大気圧のエアが上部チャンバーの中に入り、ダイアフラムをサンプル上に押さえ込みます。
サンプルが更に1から59分までのプリセット時間でこの精密ボンディングが行われると、マシンは冷却サイクルに入り、ウエハは高精密にボンドされます。